【摘 要】
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使用SiC热分解法,在Si面SiC(0001)衬底上制备了1-2层外延石墨烯材料。利用原子力显微镜、扫描电子显微镜、微区拉曼光谱、变温Hall测试仪(90K-500K)等研究了高真空和Ar惰性气氛下生长的外延石墨烯的形貌,层数以及电学特性的异同。研究表明,与高真空下生长的石墨烯相比,Ar气氛下制备的石墨烯具有宽阔的台阶,较大面积的层数均一性,从而提高了外延石墨烯的载流子迁移率。变温Hall测试发现
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所,专用集成电路重点实验室,石家庄050051
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使用SiC热分解法,在Si面SiC(0001)衬底上制备了1-2层外延石墨烯材料。利用原子力显微镜、扫描电子显微镜、微区拉曼光谱、变温Hall测试仪(90K-500K)等研究了高真空和Ar惰性气氛下生长的外延石墨烯的形貌,层数以及电学特性的异同。研究表明,与高真空下生长的石墨烯相比,Ar气氛下制备的石墨烯具有宽阔的台阶,较大面积的层数均一性,从而提高了外延石墨烯的载流子迁移率。变温Hall测试发现,Si面SiC(0001)衬底上制备的外延石墨烯的载流子迁移率随载流子浓度增加或温度上升而减小,表现出较强的依存关系。载流子迁移率的温度依存关系主要是由于SiC衬底或界面处的远程声子散射造成的,与外延石墨烯生长条件无关。
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