GaInP相关论文
通过对ppn结构GaInP顶电池的研究,电流密度增加到15.5Ma/cm,是一般pn结构的1.2倍,填充因子由0.76增加到0.83以上.ppn结构GaInP电池......
本文研究利用MOCVD 在Ge 衬底上生长GaInP/InGaAs材料,通过优化Ge衬底预处理及GaInP成核层条件,得到了表面形貌良好的GaInP成核层.......
基于不同有序度的GalnP材料制备出高/低带隙的发射区/基区结构被称之为同材料类异质结结构,其产生的特殊能带结构可以提高太阳电池......
在０—７ＧＰａ静压范围内测量了自发有序Ｇａ０５Ｉｎ０５Ｐ合金的室温光致发光谱．三块样品的常压带隙能量分别比无序样品低１１５，９２和４３ｍｅＶ，它们的压力系数也从无序样品的......
研究了无序ＧａＩｎＰ样品的温度依赖关系．在低温ＰＬ谱中，谱线呈单峰结构．随着温度从１５Ｋ升高到２５０Ｋ，谱线半宽从１６ｍｅＶ增大到３１ｍｅＶ，并且发生红移（５２ｍｅＶ），同时强度减小了两个数量级......
在MOCVD质量控制生长模式下 ,通过分析Ⅲ -V族化合物半导体材料在衬底表面的反应过程 ,建立了一个实用的生长模型。此模型是基于分......
采用高分辨透射电子显微图像(HRTEM)、光致发光谱(PL)和原子力显微镜(AFM)技术等研究了金属有机化学气相沉积(MOVPE)技术制备的Ge......
采用Aixtron 2600G3MOCVD设备外延生长了GaAs/GaInP材料,并结合金相显微镜、X射线衍射仪以及二次离子质谱仪系统地研究了掺杂源Te......
Ⅲ-V族化合物GaInP是一种高效发光材料.金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)技术能均匀生长多......
Ｘ波段输出功率２Ｗ ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓＨＢＴ据（（Ｍｉｃｒｏｗａｖ＆ＲＦ））１９９４年第４期报道，ＡＩＧａＡｓ是ＧａＡｓ为基底的ＨＢＴ发射区选用的材料。而ＧａｌｎＰ发射区具有以下特性：最高振荡频率超过１００ＧＨｚ，大于１００的高电流增益。据报道，已...
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本文介绍一种工作波长６９０ｎｍ连续波输出功率１．２Ｗ的ＡｌＧａＩｎＰ激光器阵列。阵列由３６个制作在带有８μｍ宽脊形波导的１６μｍ中心的激光器组成，结面朝下安装在金刚石热......
ＧａＩｎＰ／ＣａＡｓ／ＣａＩｎＰ双异质结双极晶体管在室温下的谐振隧道效应研究＝ＯｂｓｅｒｖａｔｉｏｎｏｆｒｅｓｏｎａｎｔｔｕｎｎｅｌｉｎｇａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｉｎＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ／ＧａＩｎＰｄｏｕｂｌｅ－ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ...
GaInP / CaAs / CaInP double heterojunction bipolar transistor resonant ......
本文用ＭＯＣＶＤ法研究了ＧａＩｎＰ及其掺Ｚｎ材料的生长和特性，并进行了生长速率对生长动力学、Ｚｎ的掺杂效率、Ｉｎ的组分、表面形貌、电学性质的影响研究．
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大功率半导体量子阱激光器被广泛应用于泵浦固体激光器、材料加工和激光医疗等领域。而且，各种实际应用要求激光器的输出功率、转换......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
在MOCVD质量控制生长模式下,通过分析Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在衬底表面的反应过程,建立了一个实用的生长模型.此模型是基于分子......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
Ge基III-V族半导体材料(GaAs/Ge,GaInP/Ge)在外延过程中存在很多问题,主要是反向畴和异质界面间原子的互扩散。在As或者P气氛中对G......
Ge基III-V族半导体材料(GaAs/Ge,GaInP/Ge)在外延过程中存在很多问题,主要是反向畴和异质界面间原子的互扩散。在As或者P气氛中对G......
非金属材料放气是造成太阳电池性能下降的因素之一。为提高镓铟磷电池的应用效率，文章以航天器常用硅橡胶作为放气源，通过电池性能与......
对可见光半导体光电子材料Ga0.5In0.5P、(AlxGa1-x)0.5In0.5P的MOCVD生长进行了研究.使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究......
对可见光半导体光电子材料Ga0.5In0.5P、(AlxGa1-x)0.5In0.5P的MOCVD生长进行了研究.使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段,研究......
用ＭＯＣＶＤ方法生长ＧａＩｎＰ及其掺杂材料，并对Ｓｉ的掺杂行为进行了较详细的研究。采用低温度冲层技术可有效地控制高温（〉７００℃）生长ＧａＩｎＰ及其掺杂材料的组分，从而......
在室温和低温液氮下,研究了有序和无序Ga0.2In0.48P的时间分辨发光谱.对实验结果的拟合表明,有序Ga052In0.48P的发光呈双指数规律......
在本工作中，首次用近红外光致发光法观察到在ＧａＡｓ衬底上用金属有机化学相沉积方法（ＭＯＣＶＤ）生长的Ｇａ＿（０．５）Ｉｎ＿（０．５）Ｐ外延薄膜所发射的１．１７、０．９９及０．８５ｅＶ的个新发光峰。其中只有１．１７ｅＶ发......
本文用电化学Ｃ－Ｖ剖面技术研究了接近器件结构的ｎ－ｎＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ／ＧａＡｓ同型异质结的界面特性，测量了载流子浓度分布，用多项式逐段拟合的方法，计算得到异质结界面......
用低压ＭＯＶＰＥ方法研制出了波长为６５５ｎｍ与６７０ｎｍ的ＧａＩｎＰ－ＡｌＧａＩｎＰ半导体量子阱可见激光器，并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为４５ｍＡ，输出光功率不小于５ｍＷ，最高......
本文用ＭＯＣＶＤ法研究了ＧａＩｎＰ及其掺Ｚｎ材料的生长和特性，并进行了生长速率对生长动力学，Ｚｎ的掺杂效率，Ｉｎ的组分，表面形貌，电学性质的影响研究。......
本文用光致发光研究了ＭＯＣＶＤ生长的有序Ｇａ０．０５Ｉｎ０．５Ｐ外延层的光学性质，发现有序程度较强的Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ样品的ＰＬ谱中，能量最高的峰的强度随温度升高，先减弱，然后增强，阳后......
通过特殊的MOCVD技术和器件工艺。应用超薄衬底和对正常衬底的减薄两种方法，成功地制作出了80μm厚的超薄GaInP／GaInAs／Ge结构的太阳......
前面已提到，与Ge晶格匹配的GaInP2/Ga（In）As／Ge三结电池材料系统无论对于空间还是地面阳光，都不是最理想的选择。图8给出了三级子单纯的......
作为航天飞行器能源的GaInP／GaAs／Ge三结太阳电池在太空环境运行时不仅受到光辐照，同时会受到各种能量的质子、电子等粒子的辐照，导致......
Luminescence decay and time-resolved photoluminescence(TRPL) spectra are used for study on the transient luminescence pr......
本文用光致发光研究了ＭＯＣＶＤ生长的有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ外延层的光学性质，发现有序程度较强的Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ样品的ＰＬ谱中一峰的能量随温度升高，先增大而后又减小。根据已有......
用Ｘ光双晶衍射，Ｈａｌｌ和光致发光研究ＭＯＣＶＤ生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．４７６～０．５０５）外延层，发现Ｇａ组分随Ⅴ／Ⅲ比的增大略有下降，认为是由于Ｇａ－Ｐ键比Ｉｎ－Ｐ键强所造成的。７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）．Ｃａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ的载流子浓......
<正>2014年,天津三安光电公司报道,他们成功研发了晶格应变三结叠层GaInP/GaInAs/Ge高倍聚光电池,并进行了规模生产,聚光电池效率......
在MOCVD质量控制生长模式下,通过分析Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在衬底表面的反应过程,建立了一个实用的生长模型.此模型是基于分子......
Ge基Ⅲ-Ⅴ族半导体材料(GaAs/Ge,GaInP/Ge)在外延过程中存在很多问题,主要是反向畴和异质界面间原子的互扩散。在As或者P气氛中对G......
通过理论分析和CrossLight软件的Lastip模块模拟,探究了垒层应变量、厚度、周期数对于In GaAs/GaInP/GaAs应变补偿超晶格结构增益......
对可见光半导体光电子材料Ga0. 5In0. 5P、(AlXGa1-X)0. 5In0. 5P的MOCVD生长进行了研究。使用X射线双晶衍射和PL谱测量结合的手段......
