随着半导体技术的不断进步，越来越多的半导体器件应用于航天技术，其单粒子效应已经成为一个影响微电子器件可靠性的重要因素。作为一种器件辐射加固的方法，绝缘衬底上硅（SOI）工艺有许多优点，例如较低的功耗、较快的速度、无闩锁、较强的抗单粒子翻转和瞬时辐射能力等。但是，由于SOI MOS器件的独特结构，可能产生多种寄生效应。研究表明，SOI结构中寄生双极晶体管效应严重影响器件对单粒子效应的敏感性，已经不可忽视。因此，研究单粒子效应下SOIMOSFET的电荷收集机制，使得先进半导体器件单粒子效应模型更加完善，并建立正确的在轨预计方法。首先，本文在分析SOI MOSFET结构和特性的基础上，比较体硅MOSFET和SOI MOSFET的单粒子效应。其次，结合前人的研究成果，通过理论分析和数值模拟，深入研究SOI MOSFET电荷收集机理，建立了适合SOI MOSFET的包含双极效应的动态单粒子效应电荷收集模型。最后，通过与相同器件的TCAD模拟数据对比，验证了模型的正确性，并对影响因素进行分析。