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量子点发光二极管(QLED)因其窄半峰宽、高亮度、发光颜色随量子点尺寸连续可调、可溶液法制备等优点在显示和照明领域具有较大的发展潜力。基于QLED制备的显示面板覆盖色域广,同时具有较高的色纯度。然而QLED的研究还处于实验室阶段,在器件结构和工艺上有很多亟待解决的问题,其中载流子注入不平衡是制约QLED器件性能的主要原因之一,这是因为常用的空穴传输层的最高电子占有轨道(HOMO)与CdSe量子点的价带之间具有大于1 eV的带阶,由带阶引起的能带不匹配很大程度上抑制了空穴的注入效率。本论文的研究工作主要基于通过引入苯硫酚类分子作为空穴传输层/量子点层(HTL/QDs)界面的修饰材料,在此基础上构筑CdSe@ZnS绿光量子点发光二极管,讨论修饰材料的引入对空穴注入能力和器件光电性能的影响,探究其作用机制和规律。将硫酚类分子作为HTL/QDs界面修饰材料,增强了空穴的注入能力,进而改善了QLED器件的光电性能。本论文的研究工作主要从以下三个方面开展:(1)4-甲基苯硫酚分子界面修饰层的工艺参数优化:将4-甲基苯硫酚(MTP)分子作为HTL/QDs界面修饰材料引入QLED器件,通过对修饰材料浓度、转速、溶剂、退火温度等工艺参数的优化,确定了修饰层的最佳工艺条件。探究发现,非正交溶剂甲苯能够增加MTP与空穴传输层的接触面积,从而提高器件的性能。空白溶剂对比发现,甲苯对空穴传输层的破坏并不影响器件的综合性能。(2)4-甲基苯硫酚分子在QLED器件中的作用及器件性能研究:设计不同结构的器件探究MTP分子处于不同位置时对器件性能的影响。探究结果显示,MTP分子作为HTL/QDs界面修饰层时器件具有最佳光电性能,优化后器件最大电流效率达到42.91 cd/A,提高了40.97%,最大外量子效率(EQE)提高至11.93%,提高了41.69%。稳态与瞬态荧光光谱表征发现,MTP分子混入量子点或TFB后,降低了量子点或TFB的荧光强度。紫外-光电子能谱表征显示,MTP作为HTL/QDs界面修饰材料时,TFB的费米能级提高了0.2 eV,降低了空穴注入势垒,提高了空穴注入效率,相应的单空穴器件电流-电压关系也证实了空穴注入效率的提高。(3)硫酚类分子作为界面修饰层对空穴注入能力的影响:采用基础有机化学的研究思路,遴选具有不同结构的分子作为HTL/QDs界面修饰材料,探究苯硫酚中苯环电子密度和巯基官能团对器件性能优化的贡献。探究发现,采用供电子基团取代的苯硫酚分子作为修饰材料时器件性能的提升较大,而采用吸电子基团取代的苯硫酚作为修饰材料时器件性能有所降低。采用不含巯基的二茂铁和不含多电子苯环结构的硫醇作为修饰材料时,器件性能的提升程度均弱于苯硫酚结构的修饰材料,相应单空穴器件表征结果验证了空穴注入效率随硫酚取代基和官能团的变化关系。