氮化物发光二极管(Light-emitting diodes)是当前非常具有发展前景的固态光源,应用于各个领域,如固态照明、平板显示、交通汽车、......

用ＡＭ１和ＣＮＤＯ方法优化得ＰＴＣＡｓ可能存在的稳定结构．对比晶体结构发现化合物３—５晶体中以成键能较高的共面结构存在，该结构有利于形成分子的紧密堆积．最......

基于含有V坑结构的Si(111)衬底InGaN/GaN绿光LED,我们在传统p-AlGaN电子阻挡层之后优化生长一层25 nm的低掺镁p-AlGaN插入层,并获......

目前,发光波长短于360nm的深紫外发光二极管(DUV LEDs)的外量子效率(EQE)普遍低于10%。一方面,基于高AlN组分AlGaN材料量子阱的出......

量子点发光二极管(QLED)因其窄半峰宽、高亮度、发光颜色随量子点尺寸连续可调、可溶液法制备等优点在显示和照明领域具有较大的发......

论文主要对QAD亚单层有机发光器件以及硅基顶发射有机电致发光器件进行了研究。首先,采用沉积亚单层QAD作为探针层,通过改变探针层......

随着技术的不断进步与突破,GaN基半导体材料在LED器件中广泛应用,其波长可实现从紫外到蓝光、绿光以及黄光范围内的调节。相较于蓝......

利用金属有机气相化学沉积(MOCVD)技术在蓝宝石图形衬底上生长GaN基蓝光LED,并系统研究了不同中高温GaN插入层厚度对其光电性能的......

GaN基LED器件具有发光效率高、能耗低、体积小、显色指数高等优点,在照明、显示等领域的应用越来越广泛。尽管GaN基蓝光LED中位错......

利用数值模拟方法,研究组份渐变电子阻挡层(EBL)对InGaN/GaN发光二极管电学和光学特性的影响。结果表明,三角形组份渐变EBL结构能......

本文设计构建BiVO_4作为吸光层,ZnO作为催化剂负载活性位点,引入NiPor制备NiPor-MOF骨架催化剂,构建NiPor-MOF修饰的BiVO_4/ZnO复......