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本文利用化学气相反应法，以Si和SiO2混合粉体为硅源，分别以CH4、石墨粉、活性炭为碳源，以La、Ce化合物为稀土源，制备得到高质量的La、Ce掺杂的SiC纳米线;以聚碳硅烷和LaCl3混合粉体为原料，制备出La掺杂的SiC纳米线。采用SEM、EDS、TEM、SAED、XRD、XPS、IR等测试方法对纳米线进行表征，并对所得产物进行场发射性能测试。主要结果如下: 以CH4为碳源，以CeCl3为Ce源，制备得到Ce掺杂的SiC纳米材料，主要研究了CeCl3的质量、CH4的通入速率、反应温度和保温时间对产物的形貌及场发射性能的影响规律。得到了最优工艺参数:CeCl3的质量为0.5g、 CH4通入速率为0.08slm、反应温度为1250℃、保温时间为25min;同时得到最优的场发射性能:开启电场和阈值电场的值分别为1.6 V/μm和5.2 V/μm。 以石墨粉为碳源，以La(NO3)3为La源，制备得到La掺杂的SiC纳米材料，主要研究了La(NO3)3的质量、石墨粉的质量对产物的形貌及场发射性能的影响规律。得到了最优的工艺参数:La(NO3)3的质量为0.5g、石墨粉的质量为3.5g、反应温度为1250℃、保温时间为30min;同时得到最优的场发射性能:开启电场和阈值电场的值分别为2.3V/μm和4.4V/μm。另外在石墨粉为碳源制备产物的最优工艺参数下，以2g的活性炭替换石墨粉后，得到的产物致密度高，纳米线光滑均匀，产物的开启电场和阈值电场分别提高0.25V/μm和0.8V/μm。 以聚碳硅烷和LaCl3混合粉体为原料，制备得到La掺杂的SiC纳米材料，主要研究了PCS的交联温度、反应温度、保温时间、LaCl3的质量对产物的形貌及场发射性能的影响规律。得到了最优的工艺参数:PCS交联温度为900℃、反应温度为1300℃、保温时间90min、LaCl3的质量为4g;同时得到最优的场发射性能，其开启电场和阈值电场的值分别为0.7 V/μm和4.5 V/μm。