本文主要研究了p型金属诱导横向结晶(Metal Induced lateral Crystallization, MILC)多晶硅薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)在各种直流应力下的退化行为和机制。首先源、漏端接地,栅加固定的应力电压(-V_g)下,观察到了典型的负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability, NBTI)效应;在源端、栅端接地,漏端加固定应力电压(-V_d)的情况下,观察到了电子注入效应;在高应力-V_d和低应力-V_g下,观察到了NBTI和电子注入的混合效应,而在高应力-V_d和适当的-V_g下观察到了NBTI和HC效应的混合效应,在上述高应力-V_d的条件下均没有观察到典型的热载流子(Hot Carrier, HC)效应。经实验验证,在这些退化中,NBTI是主导的退化机制。晶粒间界(Grain Boundary, GB)缺陷态的产生和NBTI退化具有相同的时间幂指数n,表明了在多晶硅TFT的退化中晶界缺陷态的产生起着关键作用。同一研究小组已研究了氢化对n型MILC多晶硅TFT在直流HC应力下转移特性的影响,在此基础上,继续研究了氢化对TFT直流HC应力下输出特性的影响和氢化对TFT在自加热应力下器件转移和输出特性的影响。在HC应力后,氢化器件的转移特性的可靠性得到改善,但输出特性变差。在自加热应力后,氢化器件由于其应力后产生了更多的沟道缺陷态,而导致其转移和输出特性都变差。此外,研究了HC应力下输出特性的异常负阻效应,目前机制尚未澄清。