随着先进半导体制造技术的不断发展,静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）逐渐成为集成电路可靠性的主要威胁,所以研究出有效且合适的ESD防护技术成为研究人员迫在眉睫的任务之一。而进行有效ESD防护的难点在于,晶体管尺寸的减小要求器件在保持一定鲁棒性的同时拥有较小的ESD防护窗口。本文首先介绍了常规的ESD保护原理,而后较为详细地讨论了典型ESD防护方式。在此基础上,本论文重点讨论了SCR-LDMOS在进行ESD防护时的工作原理及存在的问题,并采取了如下几点针对性的改进措施:（1）针对传统SCR-LDMOS结构存在的触发电压过高而维持电压过低而导致ESD防护窗口过大的问题,本文设计了一种新型内嵌双MOS触发SCR-LDMOS结构。新结构在阳极端和阴极端分别引入PMOS和NMOS结构,并通过导线将两个MOS结构的漏端相连。一方面,新结构将雪崩击穿点由传统的P-body/N-epi结界面处转移至P+/N-buffer结和P-body/N+结界面处,从而降低了器件的触发电压;另一方面,新引入的PMOS-NMOS电流通路为少数载流子提供了额外的泄放通道,利用分流原理减少了空穴和电子电流对N型外延层和P型体区的注入,有效抑制了器件内部的电导调制效应。器件维持电压得到提高,电压钳位速度也得到加快。通过器件仿真软件对等面积的传统和新型结构进行了相同条件下的仿真对比,结果表明新型结构的ESD防护特性得到了较大的改善,具体来说,触发电压降低了61.93%,维持电压提高了3倍多,失效电流降低了15.52%。因此,新结构在实现对ESD窗口的较大改善的同时,器件保持一定的鲁棒性。（2）本文继续提出并设计了一种内嵌双N+区的结构。新结构在N-epi层和P-body区中分别嵌入一个N+区并通过导线使两者相连。新结构在阳极端和阴极端之间增加了一条PN结-NPN1晶体管电流通路。一方面,新结构利用二极管作为触发单元辅助开启新增NPN1晶体管泄放电流,降低器件的触发电压;另一方面,新引入的PN结-NPN晶体管电流通路可以为空穴和电子电流提供额外的通路,减少它们对N-epi层以及P-body区的注入,能够有效抑制器件内部的电导调制效应,提高器件维持电压,电压钳位速度也会得到加快。此外,由于新结构引入了新的电流通路,器件的鲁棒性也有所提高。通过器件仿真软件对等面积的传统和新型结构进行了相同条件下的仿真对比,结果表明新型结构的ESD防护特性得到了较大的改善,具体来说,触发电压降低了49.83%,维持电压提高了4倍多,失效电流提高了30.16%。因此,新结构在实现对ESD窗口的较大改善的同时,提高了器件鲁棒性。