维持电压相关论文
静电放电（Electro static Discharge,ESD）对人类来说是一种随处可见的现象,通常可以通过接触带静电物体产生,是人类生活中的一个小惊......
随着先进半导体制造技术的不断发展,静电放电（Electrostatic Discharge,ESD）逐渐成为集成电路可靠性的主要威胁,所以研究出有效且合......
传统低压触发可控硅(LVTSCR)维持电压过低,应用于片上ESD防护时存在闩锁风险.文章提出了 一种嵌入分流路径的LVTSCR.基于0.18 μm ......
针对高压BCD工艺使用SCR器件ESD保护时面临的高触发电压与低维持电压之间的矛盾,设计了 一种多嵌入阱可控硅(MEWSCR)结构.相比于常......
横向双扩散MOSFET(LDMOS)由于其高击穿电压特性而被认为是适合在高压中应用的防止静电放电(ESD)现象的保护器件.在传统结构中,LDMO......
随着科技的进步和发展,汽车电子、手机、超薄笔记本电脑以及智能家居等一系列电子产品已经出现在了人们日常的生活中,也使得高压工......
静电放电 （ESD） 防护结构的维持电压是决定器件抗闩锁性能的关键参数，但ESD器件参数的热致变化使得防护器件在高温环境中有闩锁风险。......
SiGe BiCMOS工艺将传统CMOS工艺低成本、高集成度的优势与SiGe工艺出色的射频（RF）性能相结合,已广泛应用于毫米波和亚毫米波市场。该......
对绝缘体上硅工艺来说,静电保护可靠性是一个关键且具有挑战性的问题。着重于研究H型栅SOIMOS的维持电压,通过实验发现此器件的维......
非对称双向可控硅(ADDSCR)是在考虑了保护环结构之后,为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构,但是其维持电压较低,容易闩锁.为了......
静电放电(Electro Etatic Discharge,ESD)已成为集成电路产品失效的一个主要原因,随着工艺技术的进步,器件的特征尺寸越来越小,芯......
随着制造工艺尺寸的缩小和电路复杂度的提升,静电放电(ESD)对集成电路(Integrated circuit,IC)芯片的影响愈发不容忽视,业界每年由......
通过实验对电火花加工中方波脉冲电源放电时,间隙电压、电流随时间的发展过程及其伏安特性进行了研究,并用非线性电路分析方法解释......
本文中，我们设计和研究了，激发电源为几十千赫兹的正弦交流且具有独特双高压电极结构的大气压氩等离子体射流。通过采用空间分离......
针对传统片上静电放电(ESD)防护器件双向可控硅(DDSCR)的低维持电压特性,设计了一种内嵌多MOS管的新型DDSCR.通过多MOS管组成的旁......
在静电保护器件中，SCR结构由于其较强的耐压能力和较低的导通电阻被用于有效保护输入输出节点和内部电路。由于SCR的触发是由pn......
研究了部分耗尽绝缘体上的硅(PDSOI)SCR结构ESD特性，提出了一种新的SCR结构，并测试出了其ESD，1-V特性和抗闩锁性能。该结构通过采......
本文针对ACPDP传统维持驱动方法存在零电压状态,造成两次维持放电之间壁电荷损失的问题.本文提出了一种ACPDP高阻维持驱动方法,在......
传统 LVTSCR的维持电压过低,器件容易受到闩锁效应的影响而无法正常关断.为了提高传统 LVTSCR 的维持电压,基于 0.18μm BCD工艺,......
针对双向可控硅(DDSCR)易发生闩锁效应的问题,提出了一种多路高维持电压DDSCR(MHVDDSCR).在器件的两边嵌入NMOS管,构成电流通路,抽......
该论文人作理论分析计算两方面详细深入地研究了放电气体成分、混合比例、充气压强、单元结构参量及维持电压脉冲的幅值和频率对彩......
为解决闩锁效应,设计了一种新颖的异质结双极晶体管触发可控硅(NHTSCR).利用异质结晶体管串联反向异质结晶体管来分流SCR的方法,抑......
为了提高内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件应用于高压时的ESD防护性能,基于0.35 μm BCD工艺,在典型LDM......
针对双向可控硅（DDscR）在特征尺寸不断缩小的集成电路中，难以达到窄小静电放电（EsD）设计窗口的ESD防护需求，设计一种PMOS内嵌型浮栅DDSCR......
电压稳定性是指电力系统维持电压的能力。电力系统各母线电压在正常和受扰动后的动态过程中被控制在额定电压的允许偏差范围内的能......
单元结构和维持电压对ＡＣ－ＰＤＰ的性能有非常大的影响。依据国内外研究人员所做的相关实验，全面总结了这两方面因素对表面放电型ＡＣ－ＰＤＰ光电特性的影......
对电火花加工中间隙放电维持电压特性进行了深入的实验研究，解释了产生火花放电维持电压的原因及条件。给出了间隙电压、电流的振荡......
为了解决长期困扰微细电火花加工的降低单脉冲放电能量难题，对RC脉冲电源放电特性进行了试验研究，通过一系列实验证实了RC脉冲电源放......
对驼峰自动化系统设备防雷存在的问题进行探讨,并提出解决方法,简单分析了驼峰自动化系统设备防护和普通信号传输设备防护的区别。......
建立了一个MEMS膜开关电容比理论模型.由于这个模型比较全面地考虑了开关阈值电压、维持电压、偏置电压和介质膜内的电场强度等因......
以绝缘栅型场效应管（MOSFET）作为开关元件的独立式单路微细电化学加工脉冲电源在脉间存在维持电压，使得微细电化学加工的散蚀增加，导致......
对绝缘体上硅工艺来说，静电保护可靠性是一个关键且具有挑战性的问题。着重于研究H型栅SOIMOS的维持电压，通过实验发现此器件的维持......
使用AC—PDP宏放电单元测试了AC—PDP放电单元加入少量H2对Ne-Xe混合气体放电性能的影响。结果表明，Ne-Xe混合气体中加入少量H2时会......
众所周知，体硅CMOS集成电路在瞬时辐射环境中工作时会出现所谓的闭锁现象。一旦发生闭锁，器件就不能响应外部输入信号。陷入闭锁态的......
为了降低五电极交流等离子体显示板(AC PDP)的维持放电电压,提出了一种新的触发驱动方法.该方法利用2个辅助间隙内放电过程相互独......
为了改善彩色交流等离子体显示器(AC-PDP)的性能,采用静态测量法研究了维持电压脉冲幅度和频率对彩色AC-PDP着火电压、熄火电压、......
采用软件仿真一系列的横向扩散金属氧化物半导体(Laterally diffused metal oxide semiconductor,LDMOS)可控硅(Silicon controlle......
为了研究可控硅结构的静电释放保护器件结构尺寸与性能的关系,采用0.5μm的5 V/18 V CDMOS工艺流片两组SCR ESD器件,使用传输线脉......
采用化学共沉淀法制备出Zn/Sn共掺杂MgO纳米粉末,利用旋涂法将其涂覆在等离子体显示器(AC PDP)的前基板上作为功能层,以改善AC PDP......
用电容平衡法测量ACPDP宏放电单元在维持放电期的壁电荷变化,并根据宏放电单元壁电荷电压和外加最小维持电压的测量结果计算实际施......
静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)作为一种常见的自然现象,对芯片的可靠性造成了严重的影响。随着半导体工艺技术的发展,器......
电火花加工作为目前应用最为广泛的零件加工方法之一,尤其是在模具加工和航空航天等领域具有广泛的应用。电火花加工是一个受多因......
根据气体放电特性和交流等离子体显示器的放电单元结构,提出了AC-PDP等效电路模型和表征该模型的3个特性参量:击穿电压、气体维持......
阐述电梯制动器带闸运行的危害,结合一案例系统地分析制动器带闸运行产生的机械原因和电气原因,最后提出维护保养和检验的相关注意......
高压(high-voltage,HV)集成电路已经广泛应用于开关电源、电源管理、汽车电子产品以及驱动电路等应用上,这使得越来越多便携式消费......
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