论文部分内容阅读
为探究回流焊接工艺对功率器件封装的影响,应用DesignModeler建立了基于绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块的3D封装模型;运用ANSYS软件对IGBT模块进行热-结构耦合分析;结合单元生死法与焊料Anand模型得到IGBT模块温度分布、应力分布以及翘曲分布;最后利用正交分析法对不同组件厚度的翘曲及应力分布进行对比.结果表明:IG-BT模块翘曲随基板厚度的增大而减小,随键合铜(direct bonded copper,DBC)铜层厚度的增大而增大,随纳米银焊料层厚度的增大先增大后减小.焊料层厚度对模块翘曲影响最大,纳米银焊料层厚度对模块翘曲影响最小,各组件参数对焊料层残余应力无较大影响.综合考虑得出最优的材料参数,翘曲结果较最初的参数降低了77.24％,为IGBT模块的封装设计提供参考.