Ar~+背面轰击对肖特基势垒特性的影响

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用低能量氩离子束轰击肖特基势垒二极管芯片背面,能有效减小反向电流和理想因子,增高势垒高度和减小势垒电容.对于较大的轰击能量和束流密度,特性改善的效果较显著.但过长的轰击时间会使改善的程度减小,甚至可能使特性变坏.实验证明,势垒特性的改善与界面态和固定电荷密度的减小有关.文中利用应力补偿机理对结果进行分析 Bombarding the backside of the Schottky barrier diode chip with a low energy argon ion beam can effectively reduce the reverse current and ideality factor, increase the barrier height and decrease the barrier capacitance. For larger bombardment energy and beam current density, the effect of improving the properties is more significant. However, prolonged bombardment time will reduce the extent of improvement, and may even worsen the characteristics. Experiments show that the improvement of barrier properties is related to the decrease of interface states and fixed charge density. The paper uses stress compensation mechanism to analyze the result
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