腐蚀/沉积一体化的提高平坦度工艺

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为了提高表面及表面的金属间介质层平坦度 ,LamResearch公司和IPEC/Planar公司共同开发了将腐蚀、沉积、化学机械抛光 (CMP)工艺相结合的工艺技术。实践证明 ,采用此工艺技术可大幅度提高表面平坦度 ,适于制作 0 35 μm以下电路制作。CVD之后的硅 To improve surface and surface intermetallic layer flatness, LamResearch and IPEC / Planar have jointly developed process technologies that combine etching, deposition, and chemical mechanical polishing (CMP) processes. Practice has proved that the use of this technology can greatly improve the surface flatness, suitable for the production of circuits below 0 35 μm. Silicon after CVD
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