【摘 要】
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贝尔实验室的研究人员发现一种晶片结合方法 ,可以将 Si/ In Ga As PIN光检测器中的暗电流降低一个量级。原先的粘接法是使 Si和 In Ga As晶片在 1～ 10 MPa压力 ,温度为 6 50
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贝尔实验室的研究人员发现一种晶片结合方法 ,可以将 Si/ In Ga As PIN光检测器中的暗电流降低一个量级。原先的粘接法是使 Si和 In Ga As晶片在 1～ 10 MPa压力 ,温度为 6 50°C下接触 ,这样在异界面产生一定压力。用新方法 ,首先要使两个晶片表面清洁 ,平整至原子允许范围内
Researchers at Bell Labs discovered a wafer bonding method that reduces the dark current in Si / In GaAs PIN photodetectors by an order of magnitude. The original bonding method is to make Si and In Ga As wafer at 1 ~ 10 MPa pressure, the temperature of 6 50 ° C contact, so that a certain pressure in the different interface. With the new method, the first two to make the surface of the wafer clean, flat to the atomic allowable range
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“信心比黄金和货币更重要。”国务院总理温家宝这句话是针对解决经济问题而言的,现代制度文明建设,清除官场积弊和腐败现象同样需要国民信心和决心的支撑。在此,笔者提出建
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研究了[001]织构和非织构金刚石膜的暗电流-电压特性、电流-温度特性以及在稳态X射线辐照下的响应。结果表明[001]织构的金刚石膜相对非织构多晶金刚石膜具有大的暗电流和X射
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只有速度、结构、效益三者的统一才是健康的经济发展。而这三者之中,又以经济效益为最量要,经济效益的提高是以劳动生产率的真正提高为基础的,要真正提高劳动生产率,就必须深
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报道了正入射 Si0 .7Ge0 .3/Si多量子阱结构光电探测器的制作和实验结果 .测试了它的光电流谱和量子效率 .探测器的响应波长扩展到了 1 .3μm以上波段 .在 1 .3μm处量子效率