基板直流偏压对高频溅射Co-Cr膜的影响

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本文在国产高频溅射仪上研究了基板直流偏压对Co-Cr溅射膜性能的影响。实验研究表明,溅射膜的M,不仅随Cr含量增加而减小,而且随负偏压的绝对值的增加而减小,在适当的负偏压下,可以得到C轴取向度△θ_(50)和磁性参数的某种最佳值。本文研究了得到这种最佳值的条件,找到了降低饱和磁化强度和改善薄膜性能的新途径。 In this paper, domestic high-frequency sputtering instrument on the substrate DC bias on the performance of Co-Cr sputtering film. Experimental results show that the M of the sputtered film not only decreases with the increase of Cr content but also decreases with the increase of the absolute value of the negative bias voltage. Under proper negative bias, the C axis orientation degree Δθ_ ( 50) and some optimal value of the magnetic parameters. In this paper, the conditions for obtaining this optimal value are studied, and new ways of reducing the saturation magnetization and improving the film properties are found.
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