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运用密度泛函理论的B3LYP方法，在6-31G（d）基组水平上，计算了（SiO2）n和（SiO2）nO2H4（n=3—20）准一维链状纳米线的振动光谱．结果发现，在红外和拉曼光谱中振动频率和强度随着二氧化硅纳米线单元个数的奇偶变化，表现出奇偶振荡现象．团簇两端极性基团取向的影响，使不同振动模式的奇偶振荡强弱有所差异，进一步从极化率说明了羟基对准一维（SiO2）。纳米线奇偶性变化所起的作用．