互连工艺相关论文
随着第三代半导体的发展,工业界对于功率器件的开关频率,电压和功率有更高的要求,这也意味着未来功率器件的封装需要承受更高的工......
本文对柔性面阵连接组装磁头的工业化生产做出了初步评估。采用面阵连接方式代替了当前磁头飞机仔组合电气连接采用的垂直角连接方......
自蔓延燃烧反应（Self-propagating exothermic reaction）可作为局部、快速的热源实现材料连接。基于自蔓延薄膜的自蔓延燃烧反应互连......
随着液晶显示(LCD)画质的逐步提高，液晶显示系统驱动芯片的I/O端口数量大幅度增加，同时芯片的尺寸逐步渐小，导致芯片凸点的间距进一步......
以薄箔自蔓延反应产热为热源的钎料互连由于其热量高度集中、瞬时温度高、升/降温速度非常快且热影响区小的特点，能解决MEMS器件及......
集成电路产业链合作(上海)论坛成功举行/圣景公司举办“2004芯片反向工程研讨会”/复旦大学和诺发公司在上海举办高级铜互连工艺技术研讨会/“中国芯”性能达“奔3”龙芯2号8月前上市/东北地区最大的半导
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
在宇航领域微波组件射频同轴电连接器与微带板间的互连工艺中,金带连接作为一种高可靠柔性互连方式,具有优异的微波性能,能够降低......
在集成电路工艺中,硅芯片上的电子组件是采用金属导线将它相互连接起来.可作互连导线的金属有Al、Au、Ag、Cu和Ti等.集成度并不高......
<正>一、概述集成电路产业作为电子信息产业的核心,是关系国民经济和社会发展的具有基础性和先导性的战略性产业,一直受到国家的高......
Ramtron公司采用了德州仪器的130nm铜互连工艺，可以按照0．71um的商用FRAM单元规格提供4兆位FRAM。该工艺使用了创新的COP（capacitor-o......
我们在研制和生产双层布线的 3μm CMOS LSI器件时,采用了 PECVD SiON（等离子增强化学气相沉积的氮氧化硅）膜作金属层之间的绝缘层.......
<正>互连工艺中第一次采用CMP是在Al互连中的钨塞(W Plug)的平坦化工艺中。主要原因是采用非选择性的WCVD工艺能够有效填充......
光互连是提高电子计算机的运算速度和容量、发展超高速计算机的有力手段。本文叙述计算机光互连的优点和互连方式,介绍了用于光互......
