铜互连相关论文
自65 nm节点取代铝成为布线金属以来,铜被广泛用于集成电路互连工艺,化学机械抛光（CMP）是目前唯一能够达到互连层平坦化要求的加工技......
学位
在集成电路（IC）产业高速化、微缩化发展的时代背景下,器件特征尺寸以及金属互连线宽不断减小。金属铜（Cu）相对于传统互连材料铝（Al）具有......
随着半导体器工艺节点的不断刷新新低,互连技术对芯片最终的质量影响越来越大,主要体现在可靠性、延迟、能耗等性能。自130nm技术......
随着技术节点按照摩尔定律持续降低,特征尺寸进一步缩小,后段集成工艺普遍引入低介电介质材料的多层铜互连工艺以降低Rc延迟带来的......
本文研究了钌(Ru)/氮化钽(TaN)双层结构对铜的扩散阻挡特性,在Si(100)衬底上用离子束溅射的方法沉积了超薄Ru/TaN以及Cu/Ru/TaN薄......
本文概述了集成电路铜互连清洗工艺中常见的铜腐蚀缺陷的基本常识,介绍了大马士革工艺湿法清洗导致铜互连腐蚀的形成过程。AIO孔洞......
简述了近年来腐蚀抑制剂在Cu互连化学机械抛光(CMP)中的应用研究进展,分析了包括电化学、光谱学以及密度泛函理论与分子动力学计算......
铜互连化学机械抛光(CMP)是IC制备中的关键工艺,阻挡层抛光液的性能是决定平坦化效果及减少表面缺陷的重要因素。研究了不同环氧乙......
随着芯片制程中互连线尺寸的不断减小,集成电路技术已经从以晶体管为中心的时代发展到以互连为中心的时代。传统的互连金属——铝......
随着铜互连以及low-k电介质在超大规模集成电路中地广泛使用,low-k电介质的机械完整性及其对互连可靠性变得更加重要。影响介电膜......
本文探讨了纳米多层膜的调制结构及其电学与力学性能的尺寸效应、铜互连膜基体系自对准CuSiN层的微结构及性能表征与薄膜表面多尺......
本文将介绍InfiniBand网络互连中采用的高速铜互连解决方案以及可能采用的短距离光互连解决方案,着重分析两种解决方案的应用现状,......
近年来集成电路的发展趋势从微米级到纳米级，2007年国际半导体规划蓝图指出，2010年的超大规模集成电路(ULSI)的布线特征尺寸为亚45nm......
随着全球半导体工业的发展，集成电路器件的尺寸已进入深亚微米甚至纳米阶段。2009年国际半导体规划蓝图指出，2010年的超大规模集成电......
本文以Mo，Mo-N，Mo/Mo-N，W/Mo-N以及Mo/Ta-N为研究对象，采用了磁控溅射、反应溅射等技术在Si衬底上生长了Mo，Mo-N，Mo/Mo-N，W/Mo-N以及Mo/......
铜由于其优异的电学性能，已在IC及其封装中逐步取代铝及其它金属，广泛应用于BEOL(晶圆制造后段工艺)中芯片上互连金属层MLI(Multilay......
磁控溅射法制备了Ti-Al(40 nm),超薄Ti-Al(4 nm)薄膜,分别采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针检测仪(Four-Point Pr......
在不同氮气和氩气流量比的混合气体下,应用磁控溅射法在Si(001)衬底上制备了Ti-Al(10 nm)和Ti-Al-N(10 nm)薄膜,采用X射线衍射仪、......
随着集成电路技术不断发展,互连RC(R为电阻,C是介质电容)延迟却逐步增大。从130nm技术阶段开始,其已成为影响电路速度的主要矛盾。......
ITRS规划2001年实现0.13μm工艺.实际上2001年0.13μm工艺已达量产.0.13μm工艺包括248nm光刻技术、高k绝缘材料、低k绝缘材料和铜......
高清(HD)视频、云计算以及3D游戏等应用对带宽的需求不断增长,基于传统的铜互连技术正面临诸多瓶颈。在高速率信号传输中,铜互连的......
本文利用ANSYS有限元软件分别对用TaN和ZrN作为扩散阻挡层的Cu/barrier/SiO2/Si结构中铜线的热应力分布进行仿真。研究热载荷350℃......
采用有限元分析方法模拟铜互连系统中的热应力分布,模拟了在铜互连不同位置处应力诱生空洞前后应力的分布及其变化,研究互连中应力......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
目前,随着集成电路规模的不断发展,传统的铝互连技术已由铜互连技术取代.铜的超填充主要采用Damascene工艺进行电镀.在电镀液中有......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
随着器件的特征尺寸越来越小,集成度越来越高,超大规模集成电路(ULSI)中设计的金属导线变细使得金属电阻增大,产生的热量增多,从而......
通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法 ,成功地将工业镀铜技术应用于 UL SI铜互连线技术中 ,实现了对高宽比为 1μm∶ ......
采用射频磁控溅射法架构了Cu(50 nm)/Nb-Ni(50 nm)/Si异质结,利用四探针电阻测试仪、X射线衍射仪和原子力显微镜等研究了样品在不......
在200℃温度下进行了700h双层铜互连(M1/M2)的应力迁移加速老化试验,结合有限元分析和聚焦离子束(focused-ion-beam,简称FIB)技术......
特许半导体(chartered)公司宣布已经开始在其第一个300mm晶圆厂Fab 7中采用先进的制造工艺为客户生产原型产品。这些制造工艺包括0......
综述了近年来芯片三维封装中硅通孔(TSV)互连技术中电镀铜工艺的研究进展及存在的问题,指出TSV互连技术今后的研究方向。......
采用射频磁控溅射法在Si（100）基片上首先沉积了厚度40nm的非晶钛-铝薄膜，然后在其上又原位生长了厚度100nm的铜薄膜，制备了铜膜／钛-铝膜......
数据信息永远不能满足整个社会的需求.因此,处理信息的计算、存储和交换系统对于更大数据吞吐能力的需求也在不断提高.在过去的五......
应用自行建立的准二维简化模型，计算了三种基于45nm节点技术的ULSI九层低介电常数介质互连结构的温度升高。与ANSYS的分析对比表明，......
基于Cu的随动强化模型，用二维有限元分析方法，模拟分析了不同互连宽度对Cu互连热应力分布的影响。研究发现，当互连尺寸减小到一定宽度......
上海新阳公司是我国半导体封装领域最大的本土化电子化学品供应商，同时开发配套的专用设备，主导产品包括引线脚表面处理电子化学品和......
建立了三维有限元模型，采用ABAQUS有限元分析软件，模拟计算了Cu互连系统中的热应力分布；通过改变通孔直径、铜线余量、层间介质等，对比......
针对互连芯片化学机械抛光去除机理的认知不足,假设金属材料弹塑性变形连续,对单磨粒划擦互连芯片的材料去除进行了数值表征.通过......
随着超大规模集成电路制造技术的不断进步，互连线寄生电容已经成为超大规模集成电路延时和噪声的主要来源。提出并实现了一种基于电......
研究了薄膜沉积条件之一--氮气和氩气流量比对超薄(10 nm)W-Si-N薄膜作为铜扩散阻挡层的阻挡特性的影响.用薄层电阻、俄歇电子能谱......
