低介电常数材料相关论文
随着纳米技术的蓬勃发展,微纳米尺度下的辐射换热现象近年来引起人们广泛的关注。当物体间尺寸缩小到亚波长尺寸时,热辐射传递将不......
由美国材料研究学会主办的MRS1998春季会议于4月13-17日在美国加州旧金山市举行.出席者有来自28个国家的2000余人,并有400多家公司......
在ANSYS中建立了多孔二氧化硅低介电常数介质材料三维结构模型,用有限元方法模拟了通孔结构对于多孔材料机械特性的影响,得到了材......
本文介绍了铜作为互连金属的优点、面临的困难及解决方案,讨论了阻挡层材料和低介电常数材料的的作用及选取原则,介绍了制备铜互连......
本论文围绕半导体和绝缘体两大类有机光电功能材料的合成及性能，研究了几类传统的π-共轭聚合物半导体材料的新型合成方法，以及新型......
本论文根据高性能有机低介电常数材料对高耐热性的要求为基础，设计、合成了几种新型热固性有机低介常数电材料，并对其性能进行了研究......
该论文旨在利用强氢键模板作用和"半水水解-脱氯化氢缩聚"的改进方法,提高反应性的梯形聚硅氧烷的规整度;合成乙氧基封端、含氢基......
氟原子的引入能在很大程度上提升高分子材料的性能和使用范围，含氟材料在人们的生产生活中扮演着不可替代的角色。全氟环丁基(PFCB)......
随着超大规模集成电路(ULSI Ultra Large Scale Integrated Circuit)在新材料、新技术的不断发展与进步,使得半导体产业在工业中占......
自从1947年晶体管发明以及1958年第一个集成电路诞生以来，以硅基集成电路为核心的微电子技术取得了飞速发展，传统热生长法生长的SiO2......
微电子器件在快速发展,器件的性能不断完善,集成度不断提高,随着超大规模集成电路的特征线宽不断减小,导致信号传输延时、功耗增大......
无线电通讯技术系统中尤其在GHz范围里面的低介电常数和低损耗材料已经引起了人们越来越多的关注。一种新型的有机-无机复合多孔材......
IBM新“Air-Gap”技术采用真空作为低介电常数材料真空管从计算机中已消失了数十年,但如今真空却做出令人吃惊的反击。IBM推出一新......
本文讨论了ULSI的发展对低介电常数(low-k)介质的需求,介绍了几种有实用价值的low-k介质的研究和发展现况,最后评述了low-k介质在U......
本文讨论了ＵＬＳＩ的发展对低介电常数（ｌｏｗ－ｋ）介质的需求，介绍了几种有实用价值的ｌｏｗ－ｋ介质的研究和发展现况，最后评述了ｌｏｗ－ｋ介质在ＵＬＳＩ中应用的前景。......
综述了制备ULSI低介电常数材料的各种CVD技术。详细介绍PCVD技术淀积含氟氧化硅薄膜、含氟无定型碳膜与聚酰亚胺类薄膜的工艺，简要......
本发明涉及一种低介电常数材料的表面处理方法，包括下列步骤：沉积-低介电常数材料于-半导体基底上而形成一介电层：以及施行-氢气的电......
应用自行建立的准二维简化模型，计算了三种基于45nm节点技术的ULSI九层低介电常数介质互连结构的温度升高。与ANSYS的分析对比表明，......
由美国材料研究学会主办的MRS1998春季会议于4月13-17日在美国加州旧金山市举行。出席者有来自28个国家的2000余人,并有400多家公......
Low dielectric constant materials/Cu interconnects integration technology provides the direction as well as the challeng......
研究了TEM样品制备条件对Cu/低k制程ILDTDDB失效样品及含更低介电常数（k=2.7）介质层样品的TEM成像质量的影响,发现在一定的样品制备......
概述了平滑树脂基板上的金属化工艺，可以在具有优良性能的液晶聚合物和环烯聚合物上应用紫外光表面改质处理形成良好导电性的导体层......
阐述了超大规模集成电路 ( VLSI)特征尺寸的减小及互连线层数增加引起的互连线电容增加的问题。具体总结了为提高 VLSI的速度而采......
日本日立制作所(日立制作所)和日立化成工业(日立化成工业)株式会社开发了大大提高下一代LSI所必须的低介电常数材料的可信度的技......
以3英寸的P型〈111〉硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数（低k）材料聚酰亚胺。对聚酰亚胺进行化学机械抛光（CMP）,考察实验前后,纳米......
目前微电子器件正经历着一场材料结构的变革.由于其特征尺寸进入100nm,由内部金属连线的电阻和线间绝缘介质层的电容构成的阻容延......
叙述了集成电路制造技术的发展及低介电常数(κ)金属介电层的研究背景,回顾了传统SiO2作为金属介电层所面临的问题,低κ材料取代传......
综述了近年来国内外在含氟聚酰亚胺 (PI)研究及应用领域中的最新进展情况。主要从现代微电子工业对相关材料的性能要求、标准型聚......
自从1947年晶体管发明以及1958年第一个集成电路诞生以来,以硅基集成电路为核心的微电子技术取得了飞速发展,传统热生长法生长的Si......
Silica hollow spheres(SHSs) have attracted great attention because of their low toxicity,low density,large surface area,......
本文概述了低介电常数材料(LowkMaterials)的特点、分类及其在集成电路工艺中的应用。指出了应用低介电常数材料的必然性,最后举例......
随着高集成度的超大规模电路的飞速发展,器件尺寸逐渐缩小,RC延迟成为除器件的特征尺寸外决定器件功能的最主要因素之一。RC延迟大......
本研究基于高聚物相分离的现有理论及实际应用前景,分别由高聚物不相容共混体系和有条件相容的高临界共溶温度体系制备出高聚物功......
随着半导体集成电路向多功能化,小型化的不断发展,作为半导体集成电路的发展演进标志的特征尺寸进一步减小,低介电常数材料的应用......
