外延层厚度相关论文
１９９５～２０１０年ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ对原始硅材料的要求１９９５０３５μｍ１９９８０２５μｍ２００１０１８μｍ２００４０１３μｍ２００７０１０μｍ２０１０００７μｍ晶片直径（ｍｍ）（Ａ）２００２００３００３００４００４００规格参数（在９５...
1995 ~ 2010 VLSI / ULSI requirements of the original ......
采用PN结隔离的标准双极工艺，成功地设计了一种输出达40伏的高压微型化跳频控制电路。在电路设计、版图设计、工艺设计中运用了可靠......
一、引言半导体的轮廓显示常采用染色、腐蚀及镀膜技术。迄今为止，这项工作只有凭经验，人们对试样的研究越多，就变得越精通。随着半导......
随着大规模和超大规模集成电路特征尺寸向亚微米、深亚微米发展 ,下一代集成电路对硅片的表面晶体完整性和电学性能提出了更高的要......
分析仪器是实验室的重要测试手段和主要工具。不仅石油、化工、农业、医药等传统分析领域需要分析仪器,其他科技领域亦越来越多地......
本文以实际测得的数据为依据,从实用的角度出发,探求影响GaAs液相外延层厚度的主要因素,提出了几种厚度的数学模型。并对(1)δ=a_0......
一、引言 X射线衍射是用以研究材料的微观结构、相变、缺陷、相平衡图以及分析材料的相组分、残余应力、择优取向,晶粒度、晶体取......
在N2 气压为 2 6 7× 10 -2 Pa ,5 0 0℃的条件下 ,用MBE方法在GaAs(0 0 1)衬底上生长了InN的外延层。生长期间 ,In流量以 3× 10......
采用Ga/AsCl_3/H_2体系,用SnCl_4作掺杂剂,已生长了用于双栅FET的n~+-n-n~-多层外延材料.在一次外延生长中连续生长的n~+-n-n~-多......
日本电电公司武藏野电气通信研究所研制出高速低功耗正常截止型 GaAsMESFET 逻辑。其主要工艺特征是:1.用阳极氧化工艺精确控制外......
英国普莱赛公司研制了低噪声 InP 反射型放大器,在15千兆赫下在1千兆赫带宽范围内,其增益为8分贝。器件结构为 n~÷-n-n~÷夹层结......
本文对一种新的隔离方法进行了理论分析与计算.通过分析和计算的结果,我们给这种隔离方法定名为内偏压隔离,从而反映了这种隔离方......
为了阐明静电感应晶体管静态特性与有源区杂质浓度的关系,提出了十字线形结构模型,所谓十字线形模型是把静电感应晶体管中最本质的......
随着硅微波低噪声接收器件向更高频率、低噪声、高可靠性等方面发展,相应对硅外延材料提出了新的要求.它们要求材料的表面浓度低......
一、前言 根据科研工作需要,我们开展了对硅(n/N~+)亚微米外延层厚度的测量研究。测量的困难在于:在衬底和外延层交界面附近,存在......
观察了 Ga-AsCl_3-H_2体系的 GaAs 外延整个过程中镓源状态的变化规律,并估计了系统中 GaCl/As 比的变化情况,报导并讨论了镓源状......
本文叙述用解理法则外延层厚度的工艺及原理。所则得的外延层厚度与穿通二极管的穿通电压对应较好。本文还推荐一种在我们工作中摸......
结型场效应晶体管(简称J-FET)具有低噪声、高输入阻抗以及高截止频率、高输出阻抗的特点。把它做进模拟集成电路里,用于输入级、......
本文验证了测量1μ左右n-n~+GaAs外延层厚度的红外反射法,该法能满足非破坏性测量和测准的要求。本文在一些选定的实验条件下,用红......
本文对集成电路所用的横向晶体管做了二维分析和试验,对影响电流增益h_(FE)的“形状效应”进行了研究。实验结果和分析结果大体上......
一、引言 众所周知,制造半导体器件的平面工艺要求精密地控制氧化层厚度、扩散浓度及深度、外延层厚度以及这些参数在工艺过程中......
InP及其三元,四元化合物材料,在微波器件和光电器件中的应用日益广泛,但是,目前尚缺乏一个简便的方法同时测量生长材料的载流子浓......
本文研究了加热过程中GaAs单晶上的AuGeNi膜和AuGe膜表面形貌的变化。利用扫描电镜对加热到150～530℃的AuGeNi、Au/AuGeNi、AuGe和A......
为了生长厚的、掺杂均匀的外延层,研究了稳态液相外延生长法。本文阐述了生长不均匀问题的结果。为了得到良好的热均匀性,采用了圆......
在电解水的过程中,能够观察到在硅片电极上生成的二氧化硅薄膜。本文介绍在硅平面器件管芯的剖面上通过电解自来水,生长SiO_2薄膜......
本文报导首次用自制的分子束外延(MBE)炉生长GaAs单晶薄膜的初步工艺实验。用一个喷射炉装GaAs多晶作As源,另一个喷射炉装Ga作Ga源......
这里我们讨论Si气相外延生长的问题。 我们知道,对外延工艺最基本的要求就是要能精确控制外延层的厚度和保证外延层的单晶晶体质......
本文对常规PN结隔离工艺提出了一种简单易行的改革方案。其主要特点是采用“三步扩散法”实现硼隔离扩散,减薄了掩蔽硼隔离扩散所......
本文叙述了用有限差法对多集电极横向晶体管电流增益进行三维数值分析。结果表明,如不采用N~+埋层,但选用适当薄的外延层,使纵向注......
本文从有限扩散模型出发,结合相图,计算了Ga_(0.47)In_(0.53)As材料液相外延时三种冷却工艺生长的外延层厚度与生长时间的关系.给......
本文对场感应晶体管的Ⅰ—Ⅴ特性进行了简单讨论后,给出了试验中所遇到的若干异常的Ⅰ—Ⅴ特性曲线.并分析了它所对应的有关电参数......
一、引言在半导体器件生产工艺过程中,外延、光刻是两道关键工序,它们对器件的研制起着重要作用。而外延生长层的厚薄、生长层的......
本文报道用水平滑舟系统液相外延制备n~+InSb/PHg_(1-x)Cd_(?)Te异质结.该异质结外延层厚度在15～25μm之间,由电镜扫描分析出外延层......
本文提出了低-常压两步外延生长技术。用扩展电阻法测量了外延层的杂质分布。结果表明,低一常压两步外延对减小自掺杂和保证外延层......
测量了不同掺杂浓度和外延层厚度的Ⅲ-Ⅴ族化合物外延材料的光伏谱。由曲线拟合计算出了外延层的掺杂浓度和少子扩散长度等参数,并......
In_xGa_(1-x)As/Ga As之间晶格失配度与X成线性关系,其最大值为7％。因而当外延层厚度大于临界厚度时在界面会产生微缺陷,这些缺陷......
外延生长时的气流状态对硅外延生长有重要的影响。本文根据对气流状态的分析和实验,提出加放气流板和HCl逆腐蚀两种方法,用以改善......
在双极电路生产中,总希望在正片上较为准确地测定外延层的电阻率.一般说来,三探针测试适用于N/N~+、P/P~+型结构的外延层的电阻率......
本文利用X射线双晶衍射和电子探针显微分析方法,研究了MBE In_xGa_(1-x)As/GaAs(001)系统的晶格失配与In含量x值的关系.在外延层厚......
在给定的击穿电压条件下,为了获得最小导通比电阻,采用了一个二维数字模拟程序来确定功率VDMOS结构的设计原则。为了充分考虑反型......
