发射极相关论文
理论研究表明，高—低掺杂双层本征非晶硅膜作为发射极可提升非晶硅/晶体硅异质结太阳能电池短波段光子QE,改善器件性能。本文优化了......
通过AFORS-HET软件模拟了TCO/a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i)/a-Si:H(n)/Ag结构的硅异质结电池中硅衬底电阻率、本征非晶......
本文研究了提升高效n型双面电池效率，对于磷掺杂的n型硅片，光照会导致硅体和表面的衰减，对于n型硅片-硼掺杂发射极，检测到了相似的结果......
摘要：课程思政是新时期加强高校思想政治教育工作的重要载体，担负着与思政课程协同育人的重要使命。本文着重研究了以下问题，即如何在......
为了改善电喷雾推力器性能,提高束流引出效率,使用COMSOL软件对电喷雾推力器不同结构参数下的电场分布与发射粒子轨迹进行了仿真,......
原料为物理法提纯多晶硅(UMG)的直拉法太阳能级单晶硅相对于西门子法提纯的Cz单晶硅来说是降低太阳电池成本的一种选择，尽管材......
本文利用PC2D二维模拟软件对PERC电池进行了器件模拟和背表面开膜参数优化的研究.通过选取背表面线的方式建立了二维器件模型,系统......
对比研究了离子注硼发射极n型太阳电池的快速热退火和恒温炉管退火特性.通过TCAD软件模拟和SIMS测试,从理论上研究了硼杂质和团簇......
本文主要用数理推导的方式对应用在光电倍增管中银镁合金的次级电子发射机理进行了深入的探讨,并由此分析出与银镁合金次级发射有......
通过NAOS 法去死层工艺,在发射极顶部腐蚀掉极薄的一层硅,达到降低发射极表面浓度和二次清洗的目的。电性能测试表明,NAOS 法......
本文采用波长为532 nm 的激光脉冲在n 型单晶硅衬底上扫描预置的硼源,进行制备太阳电池发射极研究,利用全激光掺杂实现了方块电阻......
基于4H-SiC材料特性，在ISE仿真软件中建立4H-SiC BJT器件模型。该模型包含SiC/SiO2界面态和发射区-基区界面态，较好地反映了实际......
目前铝发射极N型太阳能电池由于成本和效率的优势，受到了国际上的极大关注，是国际研究的热点和前沿。本文选择了成本低、工艺简......
在充分考虑到自加热和热耦合效应所导致的各发射极指上沿指长方向温度分布不均匀的基础上，建立了可精确模拟多指功率异质结双极晶体......
在介绍了目前固态断路器的发展、工作原理的基础上,指出了固态断路器所使用的功率器件存在均流、均压、通态损耗、动态过载与换流......
隐蔽型发射极穿孔(EWT)硅太阳电池以其独特的器件结构、较低的成本及较高的电池效率而备受光伏市场的关注。实现EWT硅太阳电池的关......
ellman射频手术是由一个射频(Radiofrequency)能量发生器将电能转换成高频电波后通过以低电阻金属为传导物质的发射极或(称刀头)把......
本文介绍了采用传统的三台面工艺、利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极形晶体管(SHBT)技术实现传输......
本文提出一种带有曲率补偿的带隙基准电压源。通过对双极型晶体管的基极一发射极电压进行曲率补偿，能进一步减小基准源输出电压的温......
本研究对电路各点波形以及用发射极电流波形对电路进行了调试，探讨了半桥逆变电路的分析及灯功率的计算方法，就如何选用三极管参数的......
离子注入以其掺杂均匀可控、便于图形化掺杂及简化太阳电池生产工艺的特点在光伏界引起广泛的关注,但同时也存在着注入缺陷难以消......
通过研究垂直磁场对GaAs/AlAs/InGaAs应变RTDⅠ-Ⅴ特性的影响,从实验上解释了Ⅰ-Ⅴ负阻区"平台"现象来源于发射极子能级和量子阱子......
本文通过对相同的半导体THz 发射极在有磁场和无磁场情况下的信号测量，说明了垂直于载流子运动方向的磁场对THz 电磁辐射的影响；通过......
本文研究了太阳电池发射极制造过程中，快速热处理（RTP）对磷在硅中扩散的影响。扩展电阻和方块电阻测试结果显示，950℃和1100℃下，短时间......
本文针对磷化铟基(InP)自对准异质结双极型晶体管(HBT)工艺过程中,基极与发射极之间发生微短路造成HBT失效的各种现象进行分析,建......
成功制作了MBE生长的Be掺杂基区的自对准InP/InGaAs单异质结双极晶体管(SHBT).该器件的发射极尺寸为2×13μm2:共射极直流增益β=1......
本文首次描述了一种新颖的微热光电(微TPV)系统原型的设计、加工过程和测试结果.该系统由一个SiC发射极、一个简单的9层绝缘过滤器......
本文采用一种异质结等效模型解释多晶硅RCA晶体管的高增益.将多晶硅与单晶硅之间的氧化硅等效为一宽禁带的介质层,由于势垒的作用......
介绍了一种采用梳状发射极自对准工艺、发射极扩散镇流电阻、输入、输出内匹配等技术研制出的硅脉冲大功率晶体管实验结果.在3.1GH......
利用分子束外延(MBE)方法,生长SiGe HBT的缓变基区.Ge的组分从集电极一侧线性缓变地向发射极一侧降低,由生长速率精确控制.......
该文详细阐述一种自对准、全离子注入、Ｐｏｌｙ－Ｓｉ发射极工艺的研究。该工艺已应用于超高速Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａ转换器的研制中。利用该研究成果成功地开发了转......
用HPO:HO系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAs HBT制作，发射极面积为10μm×......
众所周知，晶体管中子损伤常数随发射极电流密度的变化而变化。而双极IC中的每只昌体管爱中子辐射时电流的大小一般而言不能事先估计......
通过分子束外延生长ＳｉＧｅ层制成了适于集成的平面结构ＳｉＧｅ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）。在３００°Ｋ下，ＨＢＴ的直流电流增益β为３０－５０，基极开路下的收集极－发射极反向击穿电......
一、引言 基本放大器电路是电子电路中的基本单元电路,其中分压式偏置电路是实践中使用较多的电路,电路中晶体管的偏置电路......
工程师们早就知道,只要把所有导线串联连接起来,再用欧姆表进行检测,就可以测出电缆是否存在开断故障.然而,这种方法有时是无法使......
