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采用平面选择注入隔离工艺制作MESFET及旁栅电极,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间......
在对H+-ISFET传感器基本结构和工作原理分析的基础上,采用PSPICE仿真的方法讨论了传感器在不同pH值、不同沟道尺寸、不同温度等情......
本文对场效应管所用材料的隔离层，δ调制掺杂层，势垒耗尽层等材料结构尺寸，异质结界面的二维电子气浓度，场效应管的夹断电压、沟道电流......
本文分析浮置扩散放大器(Floating Diffusion Amplifier)输出复位管的两种工作状态及其产生复位失真的原因,并导出了确定复位脉宽......
本文主要介绍半导体器件及集成电路在各种辐射环境下的损伤失效模式,分析其失效物理机理,提出相应对策,以提高器件及电路的抗辐射......
<正>本文研究了高压VDMOS物理模型的发展过程,详细比较了不同高压VD-MOS物理模型的优缺点。可以看出,在高压VDMOS物理模型中,对于......
虽然数字开关技术在固体电路发展的今天显得占优势,而在模拟开关方面也有很大的进展。毫微秒范围的速度,十万分之一以内的讯号精度......
