EL2深能级相关论文
采用平面选择注入隔离工艺制作 MESFET及旁栅电极 ,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数 ,深入研究了不同沟道电流的数据采集......
报道了用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的一种奇特光电导现象.GaAs光电导开关的电极间隙为4mm,当偏置电场分别为2 0和6 ......
用 15 5 3nm飞秒光纤激光器触发半绝缘GaAs光电导开关的实验表明 ,当光电导开关处于 3 33～ 10 3kV/cm的直流偏置电场并被脉冲宽度 ......
脉冲功率技术中最主要的器件之一为开关，在一定程度上，开关性能决定系统整体性能。长寿命、全固态、高重频是当前开关器件的主流发展......
采用平面选择注入隔离工艺制作MESFET及旁栅电极,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间......
报道了用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的一种奇特光电导现象．GaAs光电导开关的电极间隙为4mm，当偏置电场分别为2．0和6．0kV／c......
用1553nm飞秒光纤激光器触发半绝缘GaAs光电导开关的实验表明，当光电导开关处于3.33～10.3kV／cm的直流偏置电场并被脉冲宽度200fs且单......
介绍了目前比较流行的两种砷化镓EL2深能级结构模型,即Bourgoinde的As_(Ga)-As_i对模型和邹元爔的As_(Ga)V_(As)V_(Ga)三元络合物......
