光刻法相关论文
半导体行业采用光刻法来制造处理器,然而目前业界采用的193nm光刻法一次曝光只能制备节距不小于80纳米的结构。想要制造16nm或者更......
在超微距铜柱集成电路封装技术上,传统的蚀刻及阻光层剥离制程中,正在面临着不断增长的严峻要求。为了维持集成电路的供能性和可靠性......
嵌段共聚物引导组装是潜在制备5nm 或者更小尺寸节点(node)的技术之一。我们课题组致力于将引导组装整合到目前半单体行业的光刻流......
通过优化制备磁性隧道结的实验和光刻工艺条件,制备出具有室温高磁电阻和低电阻的高质量磁性隧道结,300℃退火前后其室温磁电阻比......
多晶和复材料中,形变过程可能发生在晶内或者可能是晶界滑移造成的。检测晶粒形貌的变化,可以给出解释和选择塑性形变微观机制的......
用相位掩模光刻制作光纤内的布拉格光栅用相位掩模光刻法已把布拉格光栅写入光纤和平面玻璃结构。由加拿大通讯研究中心发展的这种......
彩色TFT-LCD发展现状与前景彩色TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)是当今平板显示器中发展最快、技术最成熟、应用领域潜力最广、显示功能最强、显示质......
第四十二届国际电子装置会议(IEDM)日前在旧金山闭幕。在会议开幕之前,0.1微米已经开始出现,同时,在(IEDM)会议中有几篇关于电子......
据日本《应用物理》1997年第2期报道,松下电子工业电子综合研究所使用移相膜边缘线掩蔽光刻法(PEL),开发出了0.15μmT型栅的GaAsMODFET......
1 前言 1.1 光致导通孔积层基板光致导通孔积层基板就是在内层板上涂布感光性树脂,设计的导通孔用光刻法在其表面形成布线,所谓光......
测量裂纹亚临界扩展的方法很多,如表面直读法、电位法……等等,文献介绍了各种不同试样可以采用的测量方法。所谓表面直读法即是......
美国国家标准与技术研究所最新一期周报介绍说,美国数字光学公司开发出了将电子和微型光电子元件集成到半导体晶片上的新技术。 数......
———光刻法利用光学方法将计算机上设计的图形结构毫无磨损、毫无破坏地传送到基片上的方法称为光刻法。只有利用光刻法,利用光......
引 言 光刻是一种精密的表面加工技术,是由照相和化学腐蚀相结合,在集成电路和半导体器件表面修刻的关键工艺。它最初出现在印刷照......
通过基于模型的有变化意识的设计技术加快高级IC的量产速度,实现“设计即所得”Cadence发布了一系列用于加快数字系统级芯片(SoC)......
以环氧树脂为材料,用简单、低成本的非接触式光刻法制作多模光波导。通过实验,找出一种可靠有效的有机溶剂作为显影剂及其相应的显......
分析了偶数点阵达曼光栅的设计原理与特性。利用数值优化方法,获得了一组64×64点阵达曼光栅解。光栅模版用电子束制版法制成,其最细......
拉曼光谱是一种高效的检测工具,可广泛应用于生物传感、化学分析和单分子检测等方面。贵金属阵列拉曼衬底具有高灵敏度、高重复率......
本文分析了几种加工圆光栅的方法并根椐实际工作体会介绍了静态接触复印光刻法的原理及其工艺。
This paper analyzes several me......
在毛主席无产阶级革命路线指引下,中国人民解放军沈字619部队、总字820部队、6569工程和昆明机床厂三单位的革命职工,认真贯彻执......
我们曾在我厂1973年第三期《光学与计量》上对于在动态光刻法中采用双重胶尺坯问题作过一般介绍。之后又经过一段时间的实验研究......
用投影光刻法刻制大规模集成电路精细线条,必须顾及光学系统在一定离焦范围内均满足光刻工艺技术要求。本文以五倍光刻物镜为例,介......
本文提出了应用双镀层光刻法制作高温全息光栅的新工艺。此工艺范围广,制栅对象可选择陶瓷、石英等耐高温的非金属材料,也可选择耐......
本文首次提出了双镀层振幅型高温云纹光栅的制作工艺,并应用此工艺在铍青铜、不锈钢材料上制作高温栅,并且分别进行了550℃长时间氧化实......
一、前言在毛主席革命路线的指引下,我国的仪表工业取得了很大的进展。仪表工业所需的微细丝材的种类与日俱增,因此研究和发展生......
本文描述采用泰勒透明硬光刻掩模版和施普莱AZ-1350光致抗蚀剂的高分辨率光刻掩模的制造过程。稍经修改,此过程可与其他光致抗蚀......
美国国家标准与技术研究所最新一期周报介绍说,美国数字光学公司开发出了将电子和微型光电子元件集成到半导体晶片上的新技术。 数......
采用普通光学光刻法制造了新的1/4μm栅GaAsMESFET,在12和32GHz之间频率范围,超过了所有已报导的FET而成为当今具有最好噪声系数的......
高集成化、高速化是目前技术革新的一个方向。在集成电路制造工艺中,正在研制以提高成品率、速度、集成度为目标的表面弹性波器件......
用投影光刻法制出了在6千兆赫下最佳噪声系数为1.6分贝的砷化镓金属-半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)。推出了计算最佳噪声系数......
正在向一微米和0.5微米级电路发展的半导体工业总是以相应的制造工艺作为其技术保障的。本文所研究的是作为亚微米器件制作方法的......
用计算机系统控制的激光制备高分辨率的集成电路掩模,制造成本低于标准光刻或电子扫描方法。其分辨率虽然比电子扫描方法低一倍,......
日本电气公司武藏野电气通信实验室最近报导了溅射SiO_2膜的剥离作图方法,他们用这种方法成功地作成了具有斜侧壁的SiO_2图形,与过......
离子注入进行掺杂是制备新型半导体器件的重要手段。研究离子注入产生的缺陷的形态与通过不同退火方式引起这些缺陷组态的变化对......
砷化镓双异质结(DH)激光器由于近年来在光导纤维通讯中成功的应用而受到极大的重视,但在推广时仍有可靠性和成品率不高的问题。为......
本文从考虑了GaAs外延层与衬底的界面陷阱效应的等效电路出发,对影响器件噪声的主要因素进行了理论分析,给出了器件设计范围内的噪......
用光制作集成电路图形,也就是光刻,从光的性质来看,可以说存在着本质上的极限。目前光刻作为可靠性最高的技术应用在大规模集成电......
阻碍广泛采用提供高分辨率图形清晰度的扫描电子束光刻的两个问题是电子束光刻必须连续曝光所有的图形,以及电子束的设备复杂和成......
美国麻省理工学院林肯实验室 H.I.Smith 等人发展了一种在无定形材料衬底上生长定向晶体硅薄膜的工艺,据弥这将是制造太阳电池和......
一、研究背景 1972年,英国的朗克精密机械公司发表了型号为Microliner的接近式掩模对准仪,后来,又有二、三家公司也发表了同样的......
几年前,3μm还是先进的电子集成电路块的最小特征尺寸。然而不久小型化进程就加速了。先是减小到2μm,然后是1μm。现在,先进产品......