陷阱效应相关论文
GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件受制于陷阱效应，建立准确的非线性模型非常困难。介绍了表面势物理基高电子迁移率高级电路模型（ASM-H......
利用非线性光导开关的雪崩注入模型，讨论了光导开关工作偏压、光导开关材料的深能级杂质浓度、光脉冲能量等参量对非线性光导开关输......
近些年,低维结构光电转换器件如纳米线电池及二维材料器件因其独特的光电等性质而备受关注,有望在新一代柔性化、微纳化及可穿戴化......
Ga N基微波功率器件具有工作电压高、频率高、耐高温等特点,已经成为雷达、5G通讯等领域的关键核心元器件。随着器件设计技术和制......
本工作借助于微波吸收介电谱检测技术,系统检测了硫与硫加金增感立方体氯化银微晶光电子的时间分辨谱。根据光电子衰减谱随增感条......
本论文主要针对基于P3HT：PCBM体系的有机聚合物太阳能电池，通过瞬态光电流的测量与分析，重点研究体异质结聚合物光伏器件的载流子传输......
在新型空穴传输聚合物聚TPD(PTPD)中掺杂电子传输有机小分子荧光染料Rubrene制成薄膜器件.考察了不同掺杂浓度以及不同薄膜厚度器......
针对4H-SiC射频大功率MESFET,建立了一个解析的陷阱效应模型,该模型采用简化参数描述方法,并结合自热效应分析,从理论上完善了SiC ......
期刊
GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)因具有高输出功率密度、高工作频率、高工作温度等优良特性,在高频大功率等领域具有广泛应用前景。......
期刊
Trapping of hot electron behavior by trap centres located in buffer layer of a wurtzite phase GaN MESFET has been simula......
扼要地叙述了宽禁带半导体SiC和GaN电子材料和器件的发展状况,介绍了SiC多形体、AlGaN/GaN异质结极化效应、GaN器件的电流塌陷效应......
近来发表的AlGaAs/InGaAs/GaAs HEMT,跨导大于500ms/mm,f_1～100GHz。获得如此优异微波性能的主要措施是:(1)沟道采用了应变层量子阱......
由于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）在二维电子气沟道内具有高载流子浓度和高电子迁移率,因而在高频和高功率等领域中表现出了优......
学位
本文介绍采用脉冲形状甄别法改善陷阱效应显著的锗(锂)探测器及中子损伤探测器性能的结果。对能量分辨率及峰康比的改善为50％,而峰......
用电化学渗氢方法测定了氢在纯Fe和Fe-Cr,Mn,Co,Si,Mo的二元合金中的扩散系数。结果表明所研究的二元铁基合金中,随着合金元素浓度......
在有机金属化学气相沉积的Al0.1Ga0.9N薄膜上设计并制作了光导型的紫外探测器。测试表明在波长为345nm光照下器件具有峰值响应度10......
碳化硅（SiC）是近十几年来迅速发展起来的宽禁带半导体材料之一。与广泛应用于微波领域的半导体材料GaAs相比，SiC材料具有宽禁带、高击......
碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一。与传统......
我国高压直流输电技术的发展对电介质材料的绝缘性能提出了更高的要求,聚合物纳米电介质材料以其优异的性能而受到广泛的关注,其中......
在当前电子信息产业中,射频功率器件占有重要地位。第三代宽禁带半导体氮化镓（GaN）是继硅（Si）、砷化镓（GaAs）之后最重要的半导材料之一,......
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高......
随着CMOS工艺进入10nm制程,摩尔定律能否维持下去一直备受争议。人们一直在探索新的材料,GaN作为第三代半导体材料,其宽禁带、高击......
硒化镉（CdSe）晶体的禁带宽度较大（Eg=1.70eV），原子序数高（平均原子序数为41），密度大（p=5.74g／cm3），是一种很有前途的室温半导体核辐射探测器材......
