大信号模型相关论文
随着5G通信系统,下一代6G网络,卫星通信,商业和军事航空电子设备的发展,具有高击穿电压、低介电常数、高功率密度、最佳功率器件、......
采用调制掺杂氮化镓(GaN)异质结结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)在过去的十年中得到了迅速的发展,GaN被认为是高频和大功率相结合的最......
随着5G时代的到来,以硅(Si)和砷化镓(Ga As)材料为代表的第一、二代半导体,已经无法满足当前大功率场景应用的需求,而以氮化镓(GaN)为首......
随着当今大规模集成电路和无线通信技术的生产和使用,电子信息工业迅速崛起并成为重要高新技术产业。由于电子市场需求的爆炸增长,......
提出了一种改进的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)的小信号和大信号模型.该小信号模型通过改进拓扑结构来提升对高频下分布式......
本文使用国产SiC衬底,利用MOCVD技术外延GaN HEMT材料,采用注入隔离形式研制出高工作电压,高输出功率的AlGaN/GaN HEMT,选取典型数......
介绍一种DC/DC变流器的大信号模型,能克服传统建模方法对变流器所建模型的缺点,有利于对多模块电力电子系统的仿真分析.通过对其工......
该文给出一种考虑多种效应的HBT大信号模型,这些效应包括器件的自热效应、发射区异质结中有效电子势垒的变化、以及集电极电流对耗......
提出了一种新的基于Philips MOS Model20(MM20)的RF-SOI(radio frequency silicon-on-insulator)LDMOS(laterally diffused MOS)大......
近些年智能家居的兴起和手机、电脑等通信设备的快速更新迭代离不开物联网和无线通信技术的快速发展。在这些市场需求背后起到重要......
为了满足通讯系统日益增长的性能指标,亟需研发更加强大的微波功率器件。用GaN材料制作的高电子迁移率晶体管(HEMT),因其高频率、......
近年来,新一代半导体材料氮化镓(GaN)具备禁带宽、电子饱和速率高、电子迁移率高、热导率高等优点,使得氮化镓高电子迁移率晶体管(......
近年来,新能源技术和储能技术得以快速发展,传统的单一集中式发电方式正逐渐转向为以集中式为主、分布式为辅的发电方式,集中式发......
微波收发前端组件进一步小型化需求推动了射频微系统的发展。随着射频微系统集成度的进一步提高,亟需所需的射频芯片也能够和传统......
为了研究应用LCL型并网逆变器大、小信号两种模型在分析并网系统稳定性的相关问题,着重比较两种模型的特点,探讨其应用范围:首先总......
提出了一种GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)建模方法.该模型以ADS(advanced design system)中的符号定义器件SDD(symbolieally defin......
本文采用一个七端口的符号定义器件SDD技术建立了一个InP HBT的大信号模型.此模型考虑了InP HBT的自热效应、准饱和效应等非理想效......
该文以直流分布式电源系统中平均电流控制Buck变换器为研究对象,基于平均大信号模型,对恒功率负载以及阻性负载的起动过程进行比较......
本文介绍了一种双间隙耦合腔的大信号模型,利用一维电子圆盘模型,采用时间积分方式计算双间隙腔中的互作用,并在阻抗矩阵中考虑了电子......
为了更好地研究Z源逆变器,本文从开关函数模型出发,建立了基于动态相量法的Z源逆变器大信号仿真模型。对Z源逆变器的小信号模型、大......
大信号S参数是进行微波功率放大器设计的重要参数,但是功率器件厂商所提供频段的S参数并不一定能满足设计者的要求,因此文章提出了S......
本文针对GaN HEMT器件显著的自热效应,通过改进原有的CURTICE大信号模型,建立了包括器件自热效应的大信号模型。模型参数通过实测......
讨论一种典型的PFC前端、DC-DC变流器互联电路,着重研究其中DC-DC变流器的大信号模型.建立、改进了大信号模型,并对PFC开关模型-DC......
基于电路平均的方法,推导出开关网络的组合型CCM/DCM平均模型,该模型是一个大信号平均模型,当扰动信号的频率远小于开关频率时,这......
本文介绍一个新的Ⅲ-Ⅴ族化合物HBT大信号模型.通过HBT IC的应用现状将此模型的研究引入;详细阐释了模型拓扑和模型方程开发,且给......
该文给出一种考虑多种效应的HBT大信号模型,这些效应包括器件的自热效应、发射区异质结中有效电子势垒的变化、以及集电极电流对耗......
该文主要介绍了一种GaAs PHEMT MMICS功率放大器的设计方法和制备工艺以及性能。通过器件DC和AC测量,建立了PHEMT功率器件精确的大......
该文从微波半导体器件的建模出发进行微波宽带功率放大器的设计,其主要目的是通过优化设计放大器的外部匹配电路使其在尽可能宽的......
微波功率放大器在雷达、通信、航空航天、导航等诸多领域有着越来越广泛的应用。然而由于第一代和第二带半导体自身特性的限制,他......
级联系统作为分布式电源系统中最基本的模块联接方式,其稳定性决定了整个分布式系统能否稳定运行。即使保证了每个模块可独立稳定运......
能源形式多样、网架结构灵活的独立电力系统,为独立型微网、空间站、多电飞机以及舰船全电推进系统等技术的发展提供了一种有效解......
碳化硅(SiC)材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度和良好的抗辐射能力等优良特性,决定了它在大功率,高......
GaN工艺HEMT器件具有高的效率和功率密度、以及高线性等特点,在毫米波收发系统中有广泛应用。器件模型是工艺、器件与电路设计之间......
学位
随着现代化电子设备对半导体器件高性能、低成本、小型化等要求的进一步提高,基于宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以及零......
随着通信设备、雷达等系统对器件大功率输出特性需求的逐步增加,第三代半导体材料应运而生。GaN作为第三代半导体材料中的代表材料......
现代通信系统对于功放的带宽与效率提出了诸多要求,本文使用输出为10W的GaN HEMT器件,利用J类功放设计理论和已知的晶体管大信......
提出一种精确的体接触RF-SOI(radio frequency silicon-on-insulator)LDMOSFET(lateral double diffusedMOSFET)大信号等效电路模......
运用人工神经网络技术建立了高电子迁移率晶体管(HEMT)的大信号模型。通过脉冲I-V测试和测量不同偏置条件下的S参数,获得了大信号......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
介绍了GaAs大功率器件内匹配技术的基本原理,包括匹配电路原理、内匹配元件的参数计算方法等。以C波段40 W大功率器件为例讲述了内......
对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是AlGaN/GaNHEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模......
针对传统PWM调制具有轻载下效率低的缺点 ,论文作者提出一种新的高效调制模式———脉冲跨周调制PSM模式 .本文对这种新的PSM开关......
针对电池电源逆变系统中的直流-直流变换器,提出了采用模糊控制和平均电流控制相结合的方法(称为模糊平均电流控制法)进行控制,并......
为解决四象限交流斩波电路在无功负载条件下的建模和纹波计算问题,应用电路大信号理论建立了电路工作在CCM模式下的大信号模型。然......
提出一种适用于漏电流2.0A以上的大功率GaAs MESFET沟道电流Ids的改进型模型,新模型综合了Materka模型和Statz模型的优点,改进模型与管芯测量值拟合精度高于常用模......