集电结相关论文
摘 要：高职院校《电子电路基础》中“晶体三极管及其放大电路”一部分内容是整个教材的重点内容，所以如何设计和安排这一部分教材的......
将SOI技术优势引入SiGe HBT,可满足当前BiCMOS高速低功耗的应用需求.SOI SiGe HBT作为BiCMOS工艺的核心器件,其频率特性决定了电路......
采用涂层铝扩散基区工艺的低频大功率管集电结反向击穿特性,容易出现负阻现象.对发生负阻击穿时的芯片作表面观察,看到了与发射结......
晶体三极管又简称三极管,在实用电路中的故障率是相当高的,因此掌握其正确而快捷的检测方法是非常重要的。在此方面,笔者根据多年......
本文用两个最基本的参数,即集电极交流开路时的电压反馈因子η和发射结交流短路时的电流反馈因子σ,描述了双极晶体管基(区)宽(变)......
本文提供了一类全新型无焊压装IGBTs的机械和电气可靠性的大量试验结果。实验内容包括：振动，冲击，热循环，也包括集电结和发射结和门的......
本文概述了IGBT自发明以来主要的结构改进和相应的性能改进。包括芯片集电结附近（下层）结构改进（透明集电区）、耐压层附近（中层）结构改进......
建立三极管的物理模型，分析讨论了三极管饱和时的偏置状态和载流子的运动规律，进一步说明了此时三极管集电结正偏的正确性。......
本文对晶体管基区穿通问题进行了理论分析,得到了任意杂质分布时穿通电压的普遍表达式。并得到了一个保证集电结发生雪崩击穿之前......
<正> 本文所讨论的问题在我们所使用的教材武汉大学《电子线路》教材编写组编写的《电子线路》一书中只有其结论,而未做详细的解释......
<正>晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近......
<正> 和晶体二极管一样,晶体三极管的电流与电压关系（特性曲线）也是非线性的。但是三极管有三个电极,因而有两种特性曲线:输入特性曲......
用结偏置的判定法、电流关系判定法和电位判定法三种方法来判定晶体三极管的工作状以及三极管的检测方法。
With the junction bi......
<正>三极管是最重要的电子器件。如果没有三极管的发明,就没有今天的电子电路技术和微电子技术。美国科学家巴丁制作成功世界上第......
晶体三极管（下简称＂三极管＂）在工作时,因工作电压过高、工作电流过大、工作状态不符合要求等都会造成损坏。那么,具体情况是如何发生？本......
<正> 晶体三极管的特性除用特性曲线表示外,还可以用相关参数来表示,在很多应用领域,用参数来表示管子的性能更方便、更明确。这里......
晶体管的基本用途是制作放大器.晶体管放大器的基本单元电路是晶体管电路的基础.讨论晶体管放大器电路一般又从工作点的偏置和稳定......
