CIS薄膜相关论文
CuInSe(简称CIS)薄膜材料作为太阳电池的吸收层,以其高效、高稳定性、低价等特点,具有重要的应用前景.本文应用了DSC、XRD和ICAP研......
制备CIS薄膜太阳电池吸收层,金属预置层固态Se源后硒化法是一种低成本、安全简便的工艺.该方法制备的CIS薄膜其晶相表观结构与电学......
采用中频交流磁控溅射方法在镀Mo玻璃衬镀上沉积铜铟(CI)预测薄膜,然后在硒气氛下硒化形成CIS薄膜.对薄膜的成分、结构、形貌及电......
本文综述了电化学沉积法制备铜铟硒薄膜的进展和现状,主要介绍了电化学沉积法制备铜铟硒薄膜相对于其他方法的优势,重点介绍了电沉......
采用中频交流磁控溅射方法,在玻璃基底上沉积Cu-In预制膜,采用固态硫化法制备获得了CuInS2(CIS)吸收层薄膜。考察了预制膜Cu/In原......
以CIS(CIGS)作为吸收层的太阳能电池因其诸多优异性能而成为最有发展前景的薄膜太阳能电池之一.本文首先阐述了CIS薄膜的性能与掺......
CuInSe(简称CIS)是一种直接带隙材料，光吸收系数高达10cmΩ·cm，霍尔迁移率为200～400cmcm...
寻找可再生、廉价、清洁的新能源已成为当前人类面临的迫切问题。太阳能是一种取之不尽、环保的可再生能源,有关光伏转化半导体材......
太阳能是一种清洁新型能源，太阳电池可以将太阳能转换为电能。CuInSe2(简称CIS)是一种直接带隙半导体材料，吸收系数高、带隙可调、转......
随着人类社会日新月异的发展,人们对能源的需求越来越大。由于能源危机的出现,人们开始发现可再生能源的重要性。太阳能作为可再生......
随着人类社会的不断发展，能源紧缺和环境污染问题已经变得日益严峻，寻找可替代能源以解决未来人类对能源的需要已成燃眉之急。太阳能......
薄膜太阳电池作为一种新的能源正在得到迅速的发展和进步。CIS (CuInSe2, CuInS2等)系薄膜太阳电池因其较高的转换效率、较低的成......
采用常压下两步溶剂热法合成了In2Se3/CuSe复合粉,并以其为原料,通过喷涂成膜后快速热处理制备了CuInSe2(CIS)薄膜.利用XRD、FE-SE......
采用三电极体系,以钼片为工作电极,大面积铂网为辅助电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,以氯化铜、氯化铟、亚硒酸为原料,在无水乙......
本文采用离子层气相反应法(ILGAR)法,以CuCl、InCl3为原料,C2H5OH为溶剂,H2S为硫源在常温下合成了CuInS2薄膜,建立了前驱体溶液中[......
简述了ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）薄膜太阳能电池发展历史和现状，描述了这种太阳能电池的制备过程，并对其性质做了讨论。......
本文提出一个制造CuInSe_2薄膜的新途径,在室温衬底上在真空中加热蒸发铜铟与硒的元素,后在空气中热处理,制出的薄膜为黄铜矿结构......
电沉积法制备CIS薄膜因具有可实现大面积制备，成本低，制备效率高以及污染小等优点而得到了重点研究，是最有应用前途的薄膜太阳能电池......
由于CuInSe2（简称CIS）薄膜太阳能电池材料的吸收系数高、带隙可控、结晶品质高、弱光性能好、抗辐射能力强、电池性能稳定、制造成本......
利用离子束溅射沉积技术,设计三元复合靶,直接制备CuInSe2（CIS）薄膜。通过X射线衍射仪（XRD）、原子力显微镜（AFM）和分光光度计检测在不同......
用蒸发硒化方法制作ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）膜，进而制成ＣＩＳ／ＣｄＳ太阳电池，转换效率达到７．６２％，文章对制作工艺、电池性能以及显著的退火效应进行了研究。......
Preparation and Characterization of Electron-Beam Evaporated Cu-lnSe Thin Films Using Two Stage Proc
...
CuInS2是一种最具前景的太阳能电池光吸收材料。介绍了CuInS2（CIS）太阳能电池的研究和发展现状，以及一种低成本的CIS薄膜太阳能电池产......
采用中频交流磁控溅射方法在镀有Mo薄膜的玻璃衬底上沉积Cu-In薄膜,然后在硒气氛下硒化形成CIS薄膜.对薄膜的成分、结构、表面形貌......
采用超声电沉积法在钼基底上制备了Cu-In合金预制膜，随后在硒蒸汽进行硒化处理，得到了CuInSe2（CIS）薄膜。分别用SEM、EDS和XRD分析了合......
采用三电极体系，以钼片为工作电极，大面积铂网为辅助电极，饱和甘汞电极（SCE）为参比电极，以氯化铜、氯化铟、亚硒酸为原料，在无水乙醇溶液......
本文采用一步电沉积法在ITO玻璃衬底上成功制备了不同Cu/In比的CuInS2（CIS）薄膜。采用扫描电子显微镜、能谱仪、X射线衍射和紫外-可......
采用常压下两步溶剂热法合成了In2Se3/CuSe复合粉,并以其为原料,通过喷涂成膜后快速热处理制备了CuInSe2（CIS）薄膜。利用XRD、FE-SEM......
CuIn(Ga)S2薄膜太阳能电池由于开路电压高、制造成本低、性能稳定等优点,因此被认为是广泛应用前途的第三代太阳能电池之一。本文......
CuInSe2（CIS）作为一种直接带隙半导体材料，其禁带宽度为1.1eV,与太阳光相匹配，并且其光吸收系数较高，CIS吸收层的厚度仅需几个微米，便可......
