GaN功率器件相关论文
氮化镓(GaN)是第三代半导体的典型代表,受到学术界和产业界的广泛关注,正在成为未来超越摩尔定律所依靠的重要技术之一。对于射频(RF)GaN......
GaN功率器件相对于硅基器件具有开关速度快、临界电场高等优点,被广泛应用于高频功率电子系统中。绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物......
针对GaN功率器件在应用的过程中可能出现误导通、电压尖峰与振铃、过电压、过电流等问题,通过简要分析GaN功率器件驱动回路、过电......
介绍了使用GaN功率器件的图腾柱式无桥PFC电路,并对其进行了小信号建模与分析,控制方式使用具有高带宽增益和快速瞬态响应能力的电......
为提高激光雷达系统的探测距离和空间探测精度,并减少其体积及成本,研制了一款16线集成窄脉冲半导体激光器模块,该模块主要包括高......
传统空调压缩机驱动系统中交流侧和直流侧之间的整流电路通常由二极管组成的不控整流电路构成,母线侧采用大容值的电解电容滤除母......
本文主要介绍一种相控阵雷达中收发系统的功率器件替代设计,设计中采用GaN功率器件替代收发系统中Si功率器件。收发系统包含近百个......
本文通过对GaN功率器件的应用情况进行九新六性分析,找到应用研究过程中应该着重考虑的关键点,然后在实践中着力解决各个关键问题......
GaN器件大功率、高集成度的发展受限于热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和寿命衰减,使GaN器件的高功率性能优势远......
随着空间技术的发展,电力电子器件作为电子设备的重要组成部分,对其性能要求越来越严格。相比传统Si基MOSFETs,GaN功率器件在高频......
高能效是空调压缩机驱动系统的主要追求目标之一。通过应用GaN功率器件以及图腾柱无桥Boost PFC拓扑结构能够有效提高空调器压缩机......
随着电力电子技术的发展,射频电源由电子管电源发展成现在的晶体管射频电源。氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代宽禁带半导体......
增强型GaN(Gallium Nitride)功率器件具有高电子迁移率、高饱和电子速度和高耐压等优势,适用于高频、高效和高功率密度的功率转换......
目前氮化镓(GaN)宽禁带半导体材料凭借着耐高电压、耐高温、耐辐照、抗腐蚀等优点,以及自身高热导率、宽带隙、大电子漂移速度等特......
随着智能化便捷时代的发展,电子设备都需要满足体积小、功耗低等要求。其供电电源也向着高集成、高效率的方向发展。其中,提高功率......
GaN作为新一代半导体材料具有宽禁带、高击穿场强、高饱和电子漂移速率以及抗辐射能力强等优点成为近几年来的研究热点,随着GaN功......
随着电力电子行业的发展,射频电源对高效率、轻量化的要求逐渐提高。硅(Si)材料的理论极限,约束了Si功率器件在高频、高压及大功率......