采用液滴外延技术在平坦GaAs(001)表面上制备GaAs纳米环结构.利用原子力显微镜对其表面形貌进行表征,发现在As压保护下金属Ga液滴......

采用分子束外延技术在GaAs缓冲层上沉积Ga液滴,探究溶蚀时间对Ga液滴形貌的影响.实验中溶蚀阶段的衬底温度为340℃,沉积6单原子层G......

本文研究了Ga液滴在Al0.4 Ga0.6 As表面的扩散行为.在衬底温度为380℃时,在Al0.4 Ga0.6 As薄膜上沉积3 MLGa液滴;在零砷压下,通过......

III-V族纳米半导体材料因其独特的性质,可用于制作高电子迁移率晶体管、激光器、红外探测器等器件,广泛应用于科学科研、医疗以及......