HfO2相关论文
GaN基HEMT器件由于在高频大功率应用方面具有突出优势,使之成为半导体器件领域的研究热点。然而肖特基栅结构的AlGaN/GaN HEMT器件......
随着柔性电子概念的提出,人们纷纷将目光转向柔性电子器件的研发中,例如可穿戴设备,柔性太阳能电池和电子皮肤等。存储器方面,尤其......
集成电路的飞速发展促使半导体材料和工艺不断更新换代,对于MOS器件栅极介质材料也提出了更高的要求,传统的SiO2栅极氧化层已逐渐......
In recent years, HfO2 has attracted considerable attentions for its application in resistance random access memory (RRAM......
固态照明发光器件(Solid-State Incandescent Lighting Emitting Devices,SSI-LEDs)是由美国德州农工大学(TAMU)郭育(Yue Kuo)教授......
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For enhancing dielectric constant,either maximizing polarizibility or minimizing molar volume is needed.In this,study,th......
2004 年,M.Venkatesan 等人[1]报道了未经掺杂的单斜结构的HfO2 薄膜中具有铁磁性,J.M.D.Coey[2]以及N.H.Hong [3]等人在实验上进......
With the aggressive scaling down of microelectronic devices to the nanometer regime,the conventional SiO2 thickness had ......
用电子束蒸发技术在晶体及激光陶瓷两种基底上沉积了氧化铪（HfO2）单层膜，采用掠角X射线衍射（GIXRD）技术和纳米划痕仪对薄膜的晶向结构和......
<div style=“text-align:justify;”> The effects of the main parameters of argon flux, oxygen flux and beam voltage on th......
Low energy dissipation makes resistive random access memory(RRAM)a very interesting non-volatile storage media for w......
采用原子层沉积(ALD)的方法,选择四二乙基氨基铪(TDEAH)和水作为反应前驱体,在p型(100)单晶硅衬底上制备了HfO_2高介电质薄膜。系......
由于航空发动机燃烧室工作温度的不断提高,推重比的不断增加,只使用高温合金作为叶片材料已经不能满足性能的要求,因此,高温防护涂......
近些年来,由于制备工艺简单、成本低、效率高等显著优点,钙钛矿太阳能电池越来越受到研究人员的广泛关注。而钙钛矿太阳能电池的光......
随着科学技术的发展和时代的进步,人们对器件尺寸的要求不断小型化,半导体器件面临着巨大的压力和技术上挑战。虽然闪存(flash)等......
阻变存储器(RRAM)具有非易失性、低功耗、高密度、高速、与传统CMOS工艺兼容性好,是下一代主流非易失性存储器的有力竞争者。在阻......
电子信息行业发展日新月异,对电子器件的要求也在不断提高,特别是器件小型化和高敏度。传统的栅氧化物在器件发展过程中,不断暴露......
学位
高性能发动机要求具有高的推重比和大的推力,为了达到这一目的,重要手段是提高涡轮前燃气进口温度或加力燃烧室温度。现有的高温合......
随着器件尺寸进一步等比例缩小,高k材料HfO2作为俘获层的电荷俘获型存储器展现了较好的耐受性和较强的存储能力,且工艺相对简单,与......
研究了阻挡层 Al2O3对应变 SiGe 上 HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响。高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在 700 ℃......
研究了经过700℃快速热退火的并在Si界面处插入Al2O3阻挡层的HfO2栅介质膜的界面结构和电学性能。X射线光电子谱表明,退火后,界面......
,Electrical properties and reliability of HfO2 gate-dielectric MOS capacitors with trichloroethylene
Trichloroethylene (TCE) pretreatment of Si surface prior to HfO2 deposition is employed to fabricate HfO2 gatedielectric......
This paper reports that the high-K HfO2 gate dielectrics are fabricated on n-germanium substrates by sputtering Hf on Ge......
,Influence of different oxidants on the band alignment of HfO2 films deposited by atomic layer depos
Based on X-ray photoelectron spectroscopy (XPS),influences of different oxidants on band alignment of HfO2 films deposit......
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Comparative study on characteristics of Si-based AlGaN/GaN recessed MIS-HEMTs with HfO2 and Al2O3 ga
Two types of enhancement-mode (E-mode) AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors (MIS-H......
182Hf半衰期为(8.9±0.09)×106年，仅存在深海沉积物中或某些陨石中，且含量极为稀少，通过常规的测量放射性法或普通质谱法都难以......
工艺模拟在集成电路发展中占有重要地位，然而TCAD工具远远没有跟上集成电路工艺的发展需求，随着新材料、新工艺的出现，这点尤为突出。......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
期刊
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
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研究了高密度物料HfO2在流态化方面的特点.在物料类型的研究中,使用床层塌落法对粒度为74 ～ 100 μm的HfO2颗粒进行研究,结果表明:......
The band alignment of HfO_2 film on p-type(100) InP substrate grown by magnetron sputtering was investigated.The chemica......
采用原子层沉积技术(ALD)制备了Nd2O3掺杂的HfO2高k栅介质薄膜(Hf-Nd-O),通过X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜中元素的成分、 结合......
选择HfO_2高K姗介质作为研究对象,利用反应溅射方法制备了HfO_2栅介质薄膜,分析不同的工艺制备条件对其HfO_2栅介质电学性质和可靠......
采用射频磁控溅射法,以HfO2陶瓷作为靶材,在石英衬底上制备了HfO2薄膜。通过椭圆偏振光谱仪(SE)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子......
期刊
基于金属-金属(metal-to-metal,MTM)反熔丝技术的可编程存储和逻辑器件已经得到广泛应用.制备了基于高介电常数材料HfO2的铝/氧化......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
用两种不同纯度的HfO2 材料与同一纯度的SiO2 材料组合 ,沉积λ/ 4规整膜系 (HL) 11H形成 2 6 6nm的紫外反射镜 ,发现反射率相差 0......
使用高真空电子束蒸发在p型Si(1 0 0 )衬底上制备了高kHfO2 薄膜 .俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配比 ;x射线衍射测量表明刚沉......
Ultra-thin hafnium-oxide gate dielectric films deposited by atomic layer deposition technique using HfCl4 and H2O precur......
研究了阻挡层Al2O3对应变SiGe上HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响.高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在700℃温度下......
采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的......
