对As2和As4两种不同分子态下利用分子束外延技术(MBE)生长的单层AlGaAs薄膜和GaAs基InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器（QWIP）的性能进行......

　　暗电流是构成InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声的主要因素。研究发现As4和As2两种分子的不同分子态对暗电流水平有很大的影......