在磁控溅射法制备Pb（Zr0.52Ti0.18）O3（PZT）铁电薄膜的基础上，结合半导体工艺制备了金属／铁电／金属／绝缘层／Si衬底（MFMIS）结构的铁电场效应晶体......

采用磁控溅射法制备了（111）向择优的Pb（Zr0.52Tio48）O3（PZT）铁电薄膜，并结合半导体集成技术制备了金属／铁电／金属／多晶硅／绝缘层／Si衬底（MFMIS）结......