MHEMT相关论文
用分子束外延(MBE)法在GaAs衬底上生长了InGaAs/InAlAs异质结MHEMT材料结构.采用光致发光(PL)谱和Hall测量手段分析了样品光学和电......
Fabrication of 0.3-μm T-gate metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on silicon substrates using metal organ
我们在场与一个有效多级式的缓冲计划的介绍在 n 类型硅底层上用 Metalorganic 化学蒸汽免职(MOCVD ) 种的一只 InGaAs 变形高电子......
利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基InAIAs/InGaAs MHEMT器件.Ti/Pt/Au蒸发作为栅极金属.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻......
利用电子束光刻技术制备了200nm栅长GaAs基T型栅InAl As/InGaAs MHEMT器件.该GaAs基MHEMT器件具有优越的直流、高频和功率性能,跨......
电子束光刻(electron beam lithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一,利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基MHEMT器件.......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
报道了一种低相位噪声VCOMMIC芯片,采用传统的源端反馈形成负阻来消除谐振回路中的寄生电阻,通过合理的输出匹配实现起振条件并抑......
应用电子束直写技术成功制作了栅长0．18μm的高性能In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47As MHEMT。从工艺角度，结合器件的小信号等效电路的理......
应用电子柬直写技术成功制作了栅长0．15μm的高性能In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47AsGaAs MHEMT。从工艺角度，结合器件的小信号等效电路......
采用普通接触曝光研制成栅长为0.25μm的GaAs基InAlAs／InGaAs变组分高电子迁移率晶体管(MHEMT)，测得其跨导为522mS／mm，沟道电流密度达4......
利用MBE外延材料和接触式光学光刻方式,成功制备出1.0μm栅长GaAs基MHEMT器件,分别蒸发Pt/Ti/Pt/Au和Ti/Pt/Au作为栅电极金属.获得......
利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基InAIAs/InGaAs MHEMT器件.Ti/Pt/Au蒸发作为栅极金属.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻......
报道了MBE技术生长的GaAs基InAlAs/InGaAs改变结构高电子迁移率晶体管（MHEMT）的制作过程和器件的直流性能。对于栅长为0.8μm的器件，......
讨论了采用埋栅结构实现GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)增强型模式工作的有关问题，提出了增强型MHEMT的设计与实现方法．通过不......
