PL光谱相关论文
尖晶石作为一种珍贵的宝石材料,因其瑰丽的颜色外观和悠久的历史而广受称赞。变色效应作为宝石学中一种常见的光学现象,在变石,蓝宝石......
MAPbX3钙钛矿量子点在光照、显示、光学检查和太阳能发电行业中显示出巨大的发展潜力。但是在发光二极管、太阳能电池等领域需要面......
用Zn(CH)和CO为源,在MOCVD系统中外延ZnO薄膜,基片分别采用AlO(样品1)和Si(样品2).对生长后的样品在空气中900℃退火1小时,分别测......
ZnS作为宽禁带半导体材料,由于有较大的激子束缚能(38meV),已在激光器、传感器、背光源等有广泛应用.ZnS纳米线、纳米带,薄膜等表......
在我们的实验,在 x Ga1x N 合金样品与的几的 PL 系列在内容 x=0.1, 0.15 和 0.25 作为从 10 K 到 300 K 的温度的功能被测量。塑造 ......
纳秒脉冲激光在氮气、氧气和空气等不同氛围中加工出的硅量子点都有光致荧光(PL)的发光增强效应,并且在700nm波长附近观察到了受激......
石墨烯作为二维材料的典型代表,由于其特殊的结构和物理化学性质,吸引了众多科学家的兴趣。但是其零带隙特征限制了它的运用领域。......
传统的微电子器件利用的是电荷的输运性质。已在电子计算机技术和信息技术中获得极大的应用。目前,微电子器件的计算速度和存储的......
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术制备的大尺寸、高质量单晶金刚石材料具备卓越的物理化学性能,在珠宝、电子、核与射线探......
期刊
在高精度椭偏仪(HPE)系统中,采用激光照射硅锗合金衬底助氧化的新方法,在SiO2层中生成锗的双纳米面结构;并在样品生长过程中,用HPE......
在高精度椭偏仪(HPE)系统中,采用激光照射硅锗合金衬底助氧化的新方法,在SiO2层中生成锗的双纳米面结构;并在样品生长过程中,用高......
采用低温等离子体增强化学气相沉积工艺,以氮气N2和三甲基镓(TMG)为反应气源,在蓝宝石衬底α—Al2O3的(0001)面上低温生长了GaN薄膜。薄......
对掺有过饱和的镉、硒和少量硫的玻璃在500~800℃分别退火4h,生长了不同尺寸的CdSe1-xSx纳米晶体.测量了纳米晶体的室温吸收光谱和......
不同的实验条件下制备的多孔硅的光致发光(PL)特性是不同的,这是许多研究产生分歧的主要原因.对比分析了阳极氧化电流密度、阳极氧......
以Zn(NO3)2为原料,CO(NH2)2为沉淀剂,加入表面活性剂甲基丙烯酸甲酯,经微波加热制备获得颗粒尺度为亚微米级的ZnO。采用X射线衍射(XRD)、......
采用高分子网络凝胶法制备球形ZnO超细粉体。通过聚乙烯醇(PVA)亚浓溶液交联网络的空间位阻作用,经过烧结,获得了具有球形形貌的粒径为......
利用离子注入法制备SiO:Er样品,并在不同温度下进行退火处理。通过微区拉曼光谱、吸收光谱、X射线光电子能谱等手段对其进行结构表征......
采用强激光辐照硅锗合金,然后高温氧化的方法,在样品表面生成微米级小孔,用高精度扫描电镜观察孔内结构,发现片状纳米结构的存在。用荧......
本文用光致发光(PL)光谱对Si0.87Ge0.13/Si异质结的缺陷进行了研究.对PL光谱中与SiGe外延层应变驰豫产生的失配位错相关的D-Band进......
ZnO单晶材料以其优良的综合性能在光电子器件方面掀起了研究热潮,因此对ZnO单晶的研究具有重要的理论和实践意义。采用激光辐照的方......
采用前驱体分解法制备了Cu-In-S量子点,研究了制备工艺对Cu-In-S量子点的形貌以及光学性能的影响.实验结果表明,反应时间和反应温......
研究了在Si衬底上自组织生长Ge岛或Ge量子点的光致发光特性.用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)观察Ge岛的大小和密度,经过......
以Na2WO4·2H2O和CdCl2·2.5H2O为主要原料,以表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,通过水热反应合成了CdWO4纳米棒。用X......
采用CVD方法在管式炉中生长了ZnO纳米线,并通过SEM、TEM和PL光谱仪表征了其形貌、结构及光谱性质。利用Au表面等离激元共振与材料......
研究了高能粒子辐照对InGaN材料的电子浓度变化和PL光谱强度在不同温度下变化的影响。高能粒子辐照使InGaN材料的电子浓度明显增加......
采用模板法和沉淀法相结合的方法,以尿素作为沉淀剂,SiO2微球为模板,制备出结构完整、大小均一、形貌可控的Eu3+掺杂SiO2@La2O2CO3......
二维钙钛矿材料由于其具有特殊和更稳定的光电性能逐渐成为材料领域的一个研究热点。为了研究二维杂化钙钛矿的稳定性,用旋涂法制......
The temperature effects on the photoluminescence(PL) properties of porous silicon(PS) have been observed in the early st......
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以SiO粉末为原料,采用水热法成功地制备出一维纳米硅氧线,并通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察该一维硅氧线的形貌,可......
以钛酸正丁酯[Ti(OBu)4]为前驱体,通过水热法制备了稀土Tb3+掺杂的TiO2粉体样品,并利用激发光谱(PLE)、光致发光(PL)光谱对制得的样品进行......
由大量PL和PLE光谱的实验分析得出多孔硅的发光既具有纳米硅中带带跃迁的特征,又受不同表面状态的制约。本文从多孔硅表面化学键叠加构成......
用改进的双槽法和激光辅助照射制备多孔硅锗,用电子扫描探针观察其形貌.同时测样品的PL光谱,峰位在725nm左右,且不随制备条件的变化而......
反应气体中添加体积分数0.001%的N2,研究CVD金刚石PL(photoluminescence spectroscopy,PL)光谱发现,与N杂质相关的[NV]0与[NV]-和......
以乙酸锌和草酸为原料,采用低温固相反应法制备了纳米ZnO。用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR),光致发......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”$ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
采用放电等离子烧结(SPS)方法和粉末烧结法制备BaAl2S4:Eu溅射靶材,分析了靶材成分和结构特性以及利用靶材制备薄膜的发光特性.实验结果......
材料能带以及缺陷能级状态是窄禁带半导体材料芯片制造过程中的重要参数。红外调制光致发光(Photoluminescence,PL)光谱仪是一种无......
以球磨的B/BN混合物为原料,采用一步法在蘸有催化剂的硅片上合成了大量BN纳米刺包裹在Si纳米或微米线上的复合团簇结构。EDS和SAED......
由于量子点材料特殊的能级结构以及尺寸依赖特性,使其既可以用作宽光谱吸收材料和可调谐发光材料,又可以用于荧光探针。本文以有机......
利用光致发光谱研究了 NTD CZ-Si 在650~950℃退火过程中辐照缺陷随退火温度的变化,发现在700~800℃范围内 PL 光谱强度最大。与硅中......
CaAl2Si2O8是架状硅酸盐,结构中的硅(铝)氧四面体在三维空间中以共用角顶方式连接成架状。CaAl2Si208是一类性能优异的发光材料的......
二氧化锡(Sn02)作为一种宽禁带、直接带隙的N型半导体材料,其纳米结构在透明电极、光致发光、气敏传感、光催化等领域有着较为广泛......
学位
低维ZnO纳米材料由于其优异的结构和性能使其在光电器件方面具有广阔的应用前景。同时在ZnO中掺入适量的过渡金属离子或稀土元素可......
由碳原子通过sp2杂化方式相互连接构成的石墨烯,是一种具有六方点阵蜂窝状结构的二维材料。因其超高的载流子迁移率和光透过率等优......
氧化锌作为继GaN后出现的短波长直接带隙氧化物光电半导体材料,具有与GaN相似的晶体结构和能带结构,而且其激子能(室温下为60 meV)......