SiOx薄膜相关论文
本文对比生长在不同SiOx薄膜中之两种硅纳米晶(NC-Si)的近红外光荧光特性,并对其发光机制作出定性分析.SiOx薄膜是在电容耦合式超......
本论文采用双离子束溅射沉积技术制备了非晶的Si-SiO2薄膜,XPS的测试表明Si是以单原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内;在波长为24......
提出SiOx薄膜沉积在成本效益高的实验室规模三维打印常压化学气相沉积装置,研究了镀层的完整性、与各种表面的一致性以及处理后的......
研究了采用微波等离子体增强化学气相沉积技术生长的不同气体流量比R(R-O2/SiH4)的SiOx薄膜及其真空退火处理后的发光性能.结果表......
镶嵌在二氧化硅介质中的纳米晶硅(nc-Si/SiO2)因机械强度高，发光稳定性好，制备工艺与集成电路制备工艺相兼容，所以具有广阔的应用前景......
本论文采用双离子束溅射沉积技术制备了非晶的SiOx薄膜,XPS的测试表明Si是以单原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内;在波长为240nm......
应用化学气相沉积(CVD)方法在铝表面形成SiOx陶瓷涂层,通过弯曲实验研究了涂层与基体的结合性能.利用扫描电子显微镜(SEM)观察了弯......
采用缠绕式射频磁控溅射方法在PET表面沉积SiOx薄膜.研究了制备工艺对薄膜组成、表面形貌、阻隔性能的影响.通过红外光谱(FITR)、......
本文利用等离子体气相化学沉积(PECVD)的方法,在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和双向拉伸聚丙烯(BOPP)薄膜上制备了纳米厚度的SiOx涂......
利用磁控溅射技术，以SiOx为靶材，Ar为射频源气体，在PET基材上制备SiOx薄膜。研究了不同放电功率、氩气流量、镀膜时间等参数对SiOx薄......
用高频介质阻挡放电（DBD）等离子体枪，以六甲基二硅氧烷为单体，在大气下于铸铁表面聚合SiOx薄膜。采用红外光谱（FFIR）分析了等离子体功率......
采用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和X射线光电子能谱（XPS）测试方法对4H—SiC上热氧化生长的氧化硅（SiOx）薄膜表面形貌进行观测，......
以四甲基二硅氧烷（TMDSO）为单体、氧气为反应气体、氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET、BOPP等基体材料上采用射频等离子体聚......
采用双离子束共溅射法制备的SiOx薄膜为非晶结构,在室温下观察到了可见光致发光(PL)现象,探测到样品有四个PL峰,它们的峰位分别为～3......
A new kind of SiOx filmon Al substrate,prepared by Ambient Pressure Chemical Vapor Deposition (APCVD) is reported in thi......
应用化学气相沉积（CVD）方法在铝表面形成SiOx陶瓷涂层，通过弯曲实验研究了涂层与基体的结合性能。利用扫描电子显微镜（SEM）观察了弯曲部......
在射频等离子体放电条件下，以六甲基二硅氧烷（Hexamethyldisilone，HMDSO）为单体，氧气为反应气体，在PET薄膜及载玻片上聚合SiOx薄膜。通过......
采用常压化学气相沉积（APCVD）技术在铝基底上成功制备了改性SiOx陶瓷薄膜。通过显微硬度测试与涂层附着力自动划痕测试定量研究了薄......
实验中选择Si（N型，（100面），3～5Ω·cm）作为薄膜样品的基底，利用射频溅射方法制备低介电常数非晶SiOx（x〈2）薄膜，并通过真空退火来改变其缺......
采用13．56MHz的射频等离子体聚合装置，以四甲基二硅氧烷（TMDSO）为单体、氧气为反应气体、氩气为电离气体，在载玻片、单晶硅片、PET、BOP......
采用冷等离子弧在大气压下以六甲基二硅氧烷为单体制备SiOx超疏水薄膜，研究不同工艺参数对薄膜的结构性能影响。通过傅里叶红外光谱......
采用常压射频等离子体放电技术,以六甲基二硅氧烷（HMDSO）和Ar的混合气体为反应源,成功制备了SiOx薄膜.通过测量放电的电流-电压曲线......
以六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体,采用DBD等离子体枪在大气环境下进行聚合物合成,对2种不同进样方式的放电特性、聚合效果作了比较,......
S iOx阻隔薄膜具有优异的阻隔性,并且光透过性和微波透过性好,在阻隔包装领域的应用前景广泛,介绍了S iOx包装阻隔薄膜的制备方法:......
采用无任何污染的等离子体技术，进行SiOx薄膜的沉积：电子束蒸发氧化硅、离子源辅助电子束蒸发氧化硅、磁控溅射沉积氧化硅、离子源辅......
