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会议

薄膜物理学韧性基体裂纹尖端位错数量

GaN材料MOCVD生长和位错研究

GaN基半导体材料是第三代半导体材料,与前两代半导体材料Si和GaAs相比,它具有禁带宽度大、击穿电场强度大、饱和电子迁移率高等优......

学位

MOCVD 重掺杂n型GaN 非极性a面GaN 半极性(11-22)面GaN 湿法腐蚀

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