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为了研究不同气压下微间距气体放电的过程,在1-100 kPa的可变气压环境下,在1-100 μm的电极间距范围内进行气体放电实验并对实验结......
作为一种宽禁带半导体材料,由于氮化铝其特殊的物理和化学性质,其在真空电子器件方面的应用已经得到广泛的关注.据文献报道,氮化铝......
介绍了作者对不同触发间隙条件下盘式触发电极trigatron开关的触发特性实验研究结果，验证了Trigatron开关击穿机制的已有认识，为触发......
本文在不同的电解液中、不同的阳极氧化条件下制备了阳极氧化膜,利用阳极氧化的电压-时间(v-t曲线)和电流-时间(i-t曲线)曲线对阳......
薄SiO_2的早期高场弛豫电导与原生电子陷阱的俘获及新生正电荷的产生密切相关;中、后期的电导弛豫与新生电子陷阱的产生-俘获过程......
虽然GaN基高电子迁移率场效应管(HEMT)在高频大功率器件方面具有突出的优势并已经在应用领域取得了重要的进展,但由于GaN基HEMT器......
当 CMOS 技术进入到 45nm 技术代以后,将需要利用高 K 栅介质材料替代传统的 SiO2或 SiNxOy栅介质以克服其不可接受的高的栅泄漏电......
半绝缘GaAs光电导开关(Photoconductive Semiconductor Switches简称PCSS’s)具有兼备宽频带和高功率容量特性，使其在超高速电子学......
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