在偏〈111〉A 2°的GaAs (100) 衬底上生长了Al0.9Ga0.1As /Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片.P 型DBR的周......

用分子束外延技术 (MBE)生长了以 Ga As/Al As超晶格替代 Alx Ga1 - x As所形成的 P型半导体 /超晶格分布布拉格反射镜 (DBR) .此......

利用特征矩阵法分析推导了分布布拉格反射镜(DistributedBraggReflector,DBR)的反射率公式,在此基础上对渐变折射率型DBR进行了数......

利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石c面衬底上制备出高反射率A1N／GaN分布布拉格反射镜（DBR）。利用分光光度计测量，在418nm附......

对用于提高AIGaInP红光发光二极管（LED）出光效率的分布布拉格反射镜（DBR）和增透膜进行了分析，用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长了包含......

在偏〈111〉A 2°的GaAs (100) 衬底上生长了Al0.9Ga0.1As /Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片.P 型DBR......

对用于提高AlGaInP红光发光二极管(LED)出光效率的分布布拉格反射镜(DBR)和增透膜进行了分析,用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生......

Ga2O3有五种同分异构体:α,β,γ,δ,ε,这几种结构中,最稳定的是β异构体。与第三代半导体典型代表GaN材料(禁带宽度:3.4 eV;击穿......

垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers，简称VCSEL)是一种新型的半导体激光器，和普通激光器相比，它的阈值电流......

垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）与传统的边发射半导体激光器相比，它具有发散角小、单纵模工作、非常低的阈值电流等优点，尤其它适于......