剂量率效应相关论文
由于HfO2材料具有较高的介电常数、较低的泄漏电流,以及与Si材料较好的热匹配性,成为电子器件理想的栅氧介质材料,被广泛应用于航......
众所周知,应用于如今5G、物联网、大数据分析、云计算、人工智能等新一代信息技术领域的硅基及宽禁带半导体器件（或芯片）,乃是大国重......
针对不同剂量率对国产反应堆压力容器钢(Reactor Pressure Vessel,RPV)A508-3辐照硬化的影响,利用3.5 MeV的Fe离子在3种不同剂量率......
目的 尝试采用计算模拟方法探究剂量率对辐照微结构特征的影响,探究常温辐照下剂量率效应的机理.方法 采用动力学蒙特卡罗(OKMC)方......
选取三款R-2R梯形网络架构混合工艺数模转换器作为研究对象,三款样品分别采用LC2MOS、CBCMOS 和BiCMOS工艺制作,使用60Coγ射线源......
本文选取了两究所的Co60y射线源环境中对两款器件进行不同剂量率条件下的辐照试验。通过研究发现:BiCMOS工艺DAC的剂量率效应不同......
硅泡沫材料是聚硅氧烷通过特殊的发泡工艺制成的，其密度低、比模量、比强度优良，在航空航天、核电站等重要设备的防护及结构内部填充......
作者应用图像分析技术，观察了60Co γ射线在两种剂量率条件下体外诱发人胚肺细胞转化的细胞和细胞核形态计量学参数的变化特点，分析......
目的研究人鼻咽癌细胞CNE-2在不同剂量率照射下给予PARP抑制剂奥拉帕尼后的生物效应变化。方法采用奥拉帕尼IC10为实验用药浓度。......
基于线阵商用CCD器件，开展了60Coγ射线不同剂量率的辐照实验和室温退火研究。分别考察了CCD的功耗电流、复位电压，光响应灵敏度和电......
Radiation induced offstate leakage in the shallow trench isolation regions of SIMC 0.18 μm nMOSFETs is studied as a fun......
功率VDMOS器件凭借着承受电压高、承受电流大、开关速度快和频率特性稳定等众多优点被广泛应用于航天电子设备中,但宇宙空间中的带......
目的 探讨γ射线照射后小鼠DNA双链断裂修复缺陷细胞 (SCID)的剂量率效应和潜在致死性损伤的修复。方法 采用低剂量率和高剂量率......
为了研究发射极尺寸对双多晶自对准NPN型双极晶体管电离辐射剂量率效应的影响,对不同发射极尺寸双多晶自对准NPN双极晶体管在高低......
电离总剂量是航天电子系统辐射效应研究的重要问题，其中双极器件因其特有的低剂量率损伤增强（Enhanced low Dose Rate Sensitivity,E......
目的研究热释光探测器(TLD)的剂量学特性。方法选取一致性为±3%的TLD 2000型热释光探测器350片。采用6 MV X射线和125I粒子分别照......
研究了双极晶体管的变剂量率电离辐射损伤,发现从高到低的变剂量率辐照更有利于低剂量率辐射损伤增强效应的加速评估。
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文章对一种具有低剂量率辐射损伤增强效应的国产双极晶体管进行了不同剂量率、不同温度下的电离辐照试验.结果表明,室温辐照条件下......
研究了不同氧化层厚度的两种国产NPN双极晶体管在高低剂量率下的辐射效应和退火特性.结果显示,随总剂量的增加,晶体管基极电流增大......
重点开展了稳态、瞬态X射线辐照引起的金属 氧化物 半导体 (CMOS)器件剂量增强效应relativedoseenhance menteffect(RDEF)研究 .......
瞬时剂量率辐射效应模拟测试存在着试验资源有限、环境电磁干扰强、重复性不高等不利因素。本文开发了瞬时剂量率效应脉冲激光模拟......
<正>A low-dropout voltage regulator,LM2941,was irradiated by ~(60)Coγ-rays at various dose rates and biases for investi......
对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究.结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国......
介绍了半导体器件与电路的剂量率效应及其测试方法。主要分析了分立器件和集成电路的效应机理和建立的光电流测试系统及瞬时回避测......
全文从持续低剂量率放疗的物理学特点、生物学特点以及对血管的损伤等方面对其生物学效应作了初步阐述.与传统的外照射相比近距离......
对几十种不同类型的典型星用器件和电路在不同剂量率辐照下的响应规律及退火特性进行了研究。对双极器件和电路及JFET输入运算放大......
剂量率效应是电子元器件和系统的抗辐射鉴定考核中不可缺失的项目。脉冲激光束是一种较好的模拟剂量率效应的手段。相比传统脉冲X......
聚酰亚胺（PI）薄膜在空间高能粒子辐射环境下会发生力学性能退化.文章利用钴源辐照试验装置和热重分析、XPS 分析等对均苯型PI 薄膜在......
研究了NPN双极晶体管和NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应.研究表明,NPN管在低剂量率辐照下,电流增益衰降更为显著,且具有......
对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究。结果表明；在辐照的剂量率范围......
简要介绍了二维半导体器件模拟软件MEDICI的基本特点和使用方法;应用MEDICI程序对MOSFET的总剂量效应、PN结的剂量率效应进行了仿......
为准确估算受不同剂量率照射者的生物吸收剂量，分别采用低、中、高三种不同剂量率的^60Coγ射线照射离体人血，一步法培养52h收获制片......
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本文通过人群调查和动物实验研究结果阐述氡子体致肺癌危险评价中的剂量率效应，并简述产生剂量率效应的可能原因......
为分析电压比较器在空间辐射环境下的损伤变化规律,对电压比较器在不同偏置和剂量率下的电离辐射效应进行了系统研究。结果表明,电......
为了研究数模转换器在电离辐射环境中的可靠性，选取12位LC2MOS工艺的数模转换器作为研究对象，使用60Co7射线源对其进行了不同剂量率......
为选择能用于γ射线辐照环境且最具有加固潜力的图像传感器模组,对比分析了7类传感器模组辐照前后实时采集明、暗图像的参数,研究......
文章对一种具有低剂量率辐射损伤增强效应的国产双极晶体管进行了不同剂量率、不同温度下的电离辐照试验.结果表明,室温辐照条件下......
本文对具有相同制作工艺但NPN管的发射极面积不同,及LPNP管发射极掺杂浓度相异的两种不同类型的国产双极晶体管,在不同剂量率下的......
为对工作在空间电离环境中稳压器的电离总剂量及剂量率效应进行研究，选择一种常用的低压差线性稳压器进行了不同偏置的高低剂量率的......
研究了双极晶体管的变剂量率电离辐射损伤，发现从高到低的变剂量率辐照更有利于低剂量率辐射损伤增强效应的加速评估。......
对几种不同类型（TTL，CMOS，JFET—Bi，MOS-Bi）的典型星用运算放大器在不同剂量率（100，10，1及0．01rad（Si）／s）辐照下的响应规律及随时间变化的退火特......
抗辐射加固技术是各类航天器的电子系统在空间辐射环境中稳定工作的关键技术之一,存储器作为航天器电子系统的核心部件,其性能优劣......
运用多核细胞法及胞质分裂阻断微核（ＣＢＭＮ）法对５组Ｗｉｓｔａｒ雄性大鼠外周血淋巴细胞ＨＰＲＴ基因位点突变频率及微核进行检测。实验组注射不同放射性比活度的......
研究了国产非加固PMOS管在不同剂量率条件下的电离辐照效应及较高剂量率辐照后的退火效应。研究表明，用较高剂量率辐照加退火不能达......
目的:为解决辐射生物剂量学的难点问题,如剂量率效应、快速剂量估算和低剂量估算等,比较不同剂量率60Co-γ射线照射人外周血淋巴细......
