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采用环形锥状电子東区熔加“堆积”的定向凝固技术制取了尺寸达30～35x200mm的高纯铌单晶。研究了原料品位及工艺参数对单品质量的影......
硅技术的极限＠ＤａｎＳｔａｎｚｉｏｎｅ硅技术的极限ＤａｎＳｔａｎｚｉｏｎｅ晶体管的发明已有５０年的历史。这种技术发展到今天，能在几个平方厘米的单个硅芯片上装有多达１０亿个晶体管，该技......
本文概述了电子探针显微定量分析及对标样的要求。介绍了Fe、Sn、Ge、GaAs、InP、Lu_3Fe_5O_(12)、Yb_3Fe_5O_(12)标样的制备和有......
本文论述了二极管PN结成形用点触金丝的质量要求及研制过程。同时,还针对用户在该材料使用过程中,须进行人工缠绕、清洗、退火等复......
用闭管有籽晶的气相输运方法,已生长了直经19mm,最大长度25cm 的Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te 单晶梨晶体。晶体生长是在设有等温‘热管’的......
制备高质量的HgCdTe单晶与原材料的最初纯度有直接的关系。当前研究中普遍使用的材料是从Cominco购买的。Te和Cd标定为双熔区提纯......
单晶硅最早是用切克劳斯基方法制备的。功率器件对高电阻率硅的需要,要求发展无坩埚区熔提纯技术。由气相沉积法得到的多晶棒经区......
一、前言锑化铟属Ⅲ-V族化合物半导体。由于其电子有效质量较小,禁带宽度较窄,电子迁移率很高,又具有熔点低,蒸汽压低,易于制备等......
硅(锂)探测器级硅单晶既要纯度高、又要控制电阻率范围,并能制造成性能优良的探测器。本文从硅烷多晶硅的高纯特点出发,根据钼管多......
高阻探测器级硅单晶是制备核辐射探测器等特种器件必不可少的原材料,是硅单晶中的尖端品种。其纯度极高,制备难度很大。我们从多晶......
本文介绍了目前区熔掺杂方法的现状、区熔气相掺杂的优点和基本原理及工艺。气相掺杂成功地应用于区熔在国内还属首次尝试。实践证......
随着化石能源的日益枯竭,风能、核能和光伏发电被誉为是解决全球能源和环境污染的三大技术,其中核能的安全利用和检测逐渐成为研究......
以4N(99.99%)的铟为原料,通过电解精炼、中频冶炼、区熔熔炼和真空蒸馏的工艺提纯方法,来验证高纯铟产品中杂质锡的含量,产品需要......
<正> 1.引言近年来国外在激光晶体领域的发展动向之一是研制能在室温下产生新波长的晶体工作物质。目前已初见端倪的是氟化钇锂。......
为提高探测器级高纯锗多晶材料的制备效率,开展对锗材料多次区熔过程的参数优化的数值模拟.利用分凝原理对高纯锗多晶材料制备的区......
高纯锗属于半导体材料,一般通过区域熔炼法提纯制取,微量杂质元素会显著地使其电阻率降低。因此,习惯用(杂质)载流子浓度(通过电阻......
本发明公开了一种用磁悬浮冷舟技术，制造高纯稀土金属（TbDy）的方法。本方法与常用提纯稀土金属的方法相比，它。较好的解决了区熔坩埚对......
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