器件仿真相关论文
在晶圆厂生产中,一颗性能良好的芯片和很多因素相关,包括:原材料特性、电路设计完整性、工艺选择以及环境和人员素养。相对来说,原......
本文针对一种对管MOSFET产品6A/20V、-4.4A/-20V进行研究.产品具有低压、低阈值、低导通电阻,且具有抗单粒子37Mev/(mg/cm2)、抗电......
光电子器件的发展为人们的生活提供了方便和快捷,光电探测器是光接收器件,是光电子器件中的重要组成部分。雪崩光电探测器(APD)是应......
基于Slivaco公司的TCAD软件构建一种新型量子点发光器件,以GaN基底作为电流传输层,在InGaN量子阱中植入InN量子点,并对该器件的电......
静电感应晶体管(Static Induction Transistor,SIT)是近年来重新发展起来的一类功率器件。由于其具有耐压高、电流容量大、抗辐射性......
宽禁带SiC以其优异的特性,成为制造超高压晶闸管的首选材料。SiC光触发晶闸管(LTT)因驱动电路简单、抗电磁干扰能力强,成为超高压......
发光二极管(LED)作为新一代绿色照明光源,具有高效、节能、环保、寿命长的优点,在节能减排、低碳发展中发挥了重要作用。现在,四元......
基于单粒子效应脉冲激光实验装置,开展了90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器的单粒子翻转和闩锁效应实验,并给出了器件单粒......
ESD问题随着工艺尺寸不断减小而变得日益突出,本篇文章主要实现了基于片上系统的二极管和栅接地NMOS管两种ESD防护电路,通过对两......
本文对一种阳极凹槽肖特基二极管进行了研究。器件反偏时,阳极凹槽引入的横向电场可以加快漂移区耗尽,降低阳极电场,从而可以提高器件......
介绍了一种互补双极工艺的关键器件VPNP的性能优化技术,在工艺和器件仿真的基础上,采用原发于改善高速NPN管性能的SIC技术,应用于VPNP......
栅结构在某种程度上决定VDMOS器件的频率特性和耐压等基本性能.本文设计并研究了VDMOS器件的分栅结构和虚拟栅结构.通过模拟和器件......
基于数字图像传感器的X射线成像仪,由于成像质量良好,能够实时显示以及数字化的存储,如今在医学疾病诊断、工业无损检测、交通安全检......
X射线成像是医学诊断领域中十分重要的手段,也是当前研究的热点。近年来,由于集成电路的发展以及半导体工艺的进步,传统的胶片式X射线......
在现代电力电子电路中,对器件尺寸要求越来越小,对工作频率的要求越来越高,功耗越来越小。因此,对二极管提出了高耐压、低功耗、快恢复......
对于一个复杂的嵌入式系统,单个ARM器件往往不能满足实际的要求,可能需要多个ARM器件的协调配合才能完成用户设定的任务.......
可控硅(SCR)被广泛应用于片上静电放电(ESD)防护.由于SCR的低维持电压特性,闩锁问题一直是其应用于高压工艺ESD防护的主要问题.改......
本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证.基于仿真结果首次讨论了G......
设计了一种具有同型异质结埋栅结构的太阳电池,该电池与类似的多晶硅电池相比,其在400~ 600nm及大于850nm波段的光谱响应及开路电压......
提出了一种改进的集成雪崩光电二极管器件结构,由硅和锗材料的雪崩光电二极管结构集成,分别包含吸收区、电荷区和倍增区结构。该改进......
为了抑制CCD图像传感器在强光照射时出现光晕和弥散现象,建立了CCD纵向抗晕结构模型,运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,列建立的纵向......
介绍了使用HPVEE(图像编程语言)进行通用数字集成电路(包括组合电路和时序电路)器件仿真的方法,给出了利用该仿真电路实现通用数字集成电路的......
为了揭示半导体器件的栅隧穿电流与氧化层厚度之间的关系和MOS器件的静态特性,提出了一个栅隧穿电流与氧化层厚度关系的理论计算模......
Dog Bone栅型MOS场效应晶体管是一种对称性的、防辐射总剂量效应的版图结构。为了计算其等效宽长比,把它划分为常规结构的主MOS晶......
分析和讨论了CCD抗晕结构,并建立了CCD纵向抗晕结构模型。运用半导体器件数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进......
建立了电荷耦合器件(CCD)纵向抗晕结构模型,运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI,对建立的纵向抗晕CCD器件模拟结构进行数值计算,并详......
A novel LDNMOS embedded silicon controlled rectifier(SCR) was proposed to enhance ESD robustness of high-voltage(HV) LDN......
TKScope是广州致远电子有限公司2008年隆重推出上市的一款高性能通用型综合仿真开发平台,支持仿真全系列的8051、ARM、DSP、AVR、C1......
随着ARM的普及和广泛使用,越来越多的用户将会涉及到ARM器件仿真问题。广州致远电子有限公司,国内知名专业仿真器提供厂商,旗下TKScop......
利用半导体工艺仿真工具 Silvaco TCAD 对局部氧化隔离技术进行了仿真,程序分为三部分:(1)进行器件仿真;(2)绘制 IV 曲线;(3)提取结电压。......
随着网络计算技术的日渐发展和成熟,逐渐演变成现今为大家所熟知的云计算,云计算实验平台对于虚拟实验技术的发展起到重要作用。文......
硅控整流器SCR(Silicon Controlled Rectif ier)以及SCR的衍生器件跟二极管和GGNMOS(Grounded Gate NMOS)一样均是应用较为广泛的E......
由理论公式推导出辐照偏压影响MOS器件总剂量效应宏观电学参数的解析表达,并给出器件仿真结果加以验证。在总剂量效应未达到饱和的......
本文利用准分子激光晶化技术制备了低温多晶硅薄膜晶体管,研究了不同激光晶化能量密度对多晶硅薄膜晶粒尺寸以及器件电学特性的影......
基于器件物理模拟分析法研究PIN限幅器二极管的微波脉冲热效应,利用Sentaurus-TCAD仿真器建立了PIN二极管二维多物理场仿真模型,研......
基于物理模型法研究PIN限幅器二极管的微波脉冲热效应,研究了间隔1~20ns的两个微波脉冲构成的组合脉冲与单个长脉冲对于器件峰值温......
用非平衡格林函数方法研究一种自旋场效应晶体管的电子输运特性。结果表明,不考虑自旋散射的作用,当漏极电压比较小时该器件能达到很......
随着应用终端需求的加强和能效要求的不断提升,对功率器件性能的要求也不断提升。于此同时也推进了器件结构的不断发展,带来了功率......
利用器件仿真工具TCAD,建立28nm体硅工艺器件的三维模型,研究了粒子入射条件和器件间距等因素对28nm体硅工艺器件单粒子效应电荷共......
本文深入研究了高纯锗半导体探测器(HPGe)的制造工艺及其结构优化。利用Silvaco Tcad软件的工艺仿真工具Athena,对半导体材料进行......
本文讨论了ESD保护器件GGNMOS(Gate Grounded NMOS)的栅长对其抗静电能力的影响,并用MEDICI进行仿真验证。基于仿真结果首次讨论了GGN......
易制备、成本低、光伏转换效率日益接近硅太阳能电池的有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池成为当前广受关注的第三代太阳能电池的代表......
随着ARM的普及和广泛使用,越来越多的用户将会涉及到ARM器件仿真问题。广州致远电子有限公司是国内知名的专业仿真器提供厂商,旗下TK......
对于100V以下低压功率MOSFET器件,要实现大电流和低导通电阻,若采用平面结构,芯片面积会很大,不能满足元器件小型化的市场需求。本......
众所周知,传统的基于CFA(彩色滤光片列阵)的彩色图像传感器由于RGB三色通道空间采样频率的不一致,当图像存在超过图像传感器奈奎斯......
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