开关电流相关论文
本文提出一种基于伪随机信号对内嵌开关电流电路进行测试的方法.对伪随机激励信号的产生及其与被测开关电流电路z域传输函数的适配......
激光二极管驱动器由美国三菱电子仪器公司电子器件小组提供的激光二极管驱动器系列最新产品的特点是节省功率控制的费用。这种单片......
４６８．单片温度控制电路莫托罗拉公司的ＵＡＡ２０１６具有相应的交流温度控制功能。一个具有负温度系数（ＮＴＣ）的电阻Ｒ＿３可用作传感器，在２５℃时，它必须具有约为１００ｋΩ的阻......
提出了一种用于模式识别的新型多输入开关电流模糊处理器。该处理器是一个模数混合系统。其中，数字部分用于对输入码进行译码，并且产......
提出了设计直流电源变换器（ＤＣ－ＤＣ）线路滤波器应遵循的原则，分析了其设计方法，最后给出了设计实例──程控交换机直流电源变换器线路滤波器的......
研究了Ｔａ的阳极氧化反应动力学用自制装置有效地控制用于非晶硅薄膜晶体管（ａ─ＳｉＴＦＴ）的复合栅绝缘层Ｔａ２Ｏ５厚度，膜质均匀、性能优良，使复合栅绝缘层ａ─......
ＬＴ１１７３是ＬＩＮＥＡＲ公司生产的微功耗ＤＣ－ＤＣ变换器，本文介绍了它的工作原理、主要特性，还介绍了外接元件选择方法和典型应用电路。
The LT1173 is a LINEAR......
铁电材料极化后，如果把前沿很陡的矩形电压脉冲加到铁电材料上，在铁电畴反转过程中将产生不同于充电电流的开关电流。利用微机、控制......
研究Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ性能的影响，介绍Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅的制作方法．双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应，改善了短接现象，提高了有......
通过典型实例，提出了开关电流滤波器的一种新颖的设计方法，该法遵循从 Ｒ Ｌ Ｃ滤波器到有源 Ｒ Ｃ滤波器，然后到开关电容滤波器，最后到不存在有......
本文对开关电容滤波器和开关电流滤波器的设计方法作了综述。通过实例,提出了由LC滤波器原型电路到有源RC滤波器。再到开关电容滤......
提出了用leapfrog法设计开关电流带通滤波器的普遍方法 ,设计了一个四阶契比雪夫带通滤波器 ,并用matlab软件从信号流图级进行了模......
采用标准双栅 CMOS工艺在镍诱导非晶硅横向晶化形成的多晶硅上制造了高性能的薄膜晶体管 ,并详细研究了器件制备前高温预处理对薄......
在分析了利用分段线性混沌映射产生随机数原理的基础上 ,给出了一种基于混沌的随机数产生器结构 ,设计出了基于此结构的数 模混合......
提出了一种新的开关电流高阶椭圆低通滤波器通用综合方法,该法遵循从RLC滤波器到有源RC滤波器,再到开关电容滤波器,最后到开关电流......
以硅材料衬底作栅电极,在衬底上依次制备二氧化硅栅介质层、聚合物MEH-PPV薄膜半导体层和金源、漏电极,成功地得到了聚合物薄膜晶......
由于导电沟道-源/漏电极界面处可能发生的载流子带间隧穿,传统类金属氧化物半导体(MOS)碳纳米管场效应管呈现双极性传输特性,极大......
采用不同厚度的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）作为栅绝缘层，制备了并五苯有机场效应晶体管（OFET）。测量了不同厚度的PMMA的介电特性，并详细分析......
在室温下制备了基于氧化铟锡(ITO)的底栅结构无结薄膜晶体管.源漏电极和沟道层都是同样的ITO薄膜材料,没有形成传统的源极结和漏极......
电子工程技术人员进行集成电路设计应用已很普遍,然而集成电路的功耗和散热是专用集成电路(ASIC)芯片发展的较突出问题。从理论上......
提出一种新型RAM锁存器,通过引入并行充电支路,可避免开关电流和充电速度之间的矛盾。与传统结构相比,新结构不仅能提高充电速度,......
利用泊松方程和连续性方程对Al2O3/GaSb p-MOSFET进行二维数值分析,研究其在高场和载流子速度饱和下的电学特性以及漏极电流的开关......
为提高开关电流电路故障诊断的精度,提出了一种基于小波包优选和优化BP神经网路的开关电流电路特征抽取与识别方法.首先对开关电流......
采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情......
该文从离散动力学和符号动力学的角度,严格证明了分段线性映射能得到随机序列,并且从直观上解释了数据精度的有限性是这种确定映射......
学位
本文描述了一个上升时间为1/3毫微秒、幅度可达十安的电流脉冲发生器。并给出了用这个装置测量八种磁心的测量结果。
This articl......
在下面关于单元的开关时间数据中,采用了完全矩形的驱动脉冲。图22把C_(ED)作为参数,表示读出脉冲幅度A_R和最小脉冲宽度的关系。......
本文讨论分析了用作向量寄存器电路的超高速移位寄存型结构特点和性能,利用计算机辅助进行了计算分析验证,并论证了有关检查方法。......
本文首先分析了CMOS电路功耗的来源,基于这个理论基础介绍了三种RTL(寄存器传输)级的低功耗设计方法。
This paper first analyze......
文内载有硫属玻璃半导体层内开关效应的研究数据;叙述了可以作为开关应用的,层的极限厚度的概念、开关能在2.5到70～100伏范围内工......
采用TO—5包装型式的宽带射频开关仅有0.025时~3,型号为SB—1的50欧射频开关的功率为10毫瓦,在10兆赫至1千兆赫的宽带范围内具有......
美国IXYS公司发售的LXTM50N10型低阻大电流功率MOSFET,栅压10V时的最大导通电阻为0.03Ω,额定电压为100V,额定电流为50A,可用于开......
据日本《日经工卜夕卜口二夕又》1993年第571期报道,日本富士通公司已开发开关电流为0.32mA,ECL延迟时间为21.5ps的硅双极技术,可......
本文阐述了开关电流(SI)和开关电容(SC)电路的相似性原理,由此提出了一个新的SI双二次滤波器电路,该电路是由文献[5]的三运放SC双......
效率高于８５％的音频功放王乃川通常的音频功率放大电路多采用线性放大形式，如甲、乙、两类放大等。这一９电路的优点不少，但其效率均不够高......
开关电流作为一种新的电流模式技术已经成为电流模式信号处理的前沿课题。本文引入“偶镜”和“奇镜”的概念,提出了开关电流网络......
甲乙类开关电流存储单元工作在甲乙类状态,信号电流可以大于偏置电流,具有功耗低,效率高的优点;本文对甲乙类开关电流基本单元存在......
首先介绍单片开关电源连续模式和不连续模式的设定方法,然后以TOPSwitch的基本反馈电路为例,对这两种工作模式的反馈理论作深入分......
本文提出了一种级联电压倍增式的LCL谐振电路,用以产生微焦点X射线.文章中应用正弦分析建立了输入和输出谐振回路电压间的关系;明......
器件的浅槽隔离区域(STI)能够通过热失配在器件的沟道区引入压应力来提高PMOS的性能。使用了TCAD仿真工具在90nm，45nm、32nm技......
开关电流电路是一种新型的数据采样技术。本文对开关电流电路的工作原理和误差的详细分析,介绍一种调整型共源共栅结构的S2I开关电......
本文针对五相永磁同步电动杌,构建了三电平逆变器供电的调速系统。在对五相三电平逆变器的电压空间矢量进行详细分析的基础上,通过......
