在经典力学框架内和Seeger方程基础上, 引入正弦平方势，把位错运动方程化为具有外力矩的摆方程。导出了弯结的形成能、弯结宽度、密......

利用基于Stillinger-Weber(SW)势函数的分子动力学方法分析了Si中30°部分位错和单空位(V_1)的相互作用.不同温度、剪应力作用下的......

为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe／Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响，使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30&#......

首先使用分子动力学方法（MD）得出了左弯结（LK）和右弯结（RK）在不同温度和剪应力作用下的速度特性和运动过程.然后利用基于紧束缚势（TB）的nud......

利用基于Stillinger-Weber（SW）势函数的分子动力学方法分析了Si中30°部分位错和单空位（V1）的相互作用．不同温度、剪应力作用下的计......

近年来,随着科学技术的发展,尤其是电子领域技术的快速更新,我们对Si基半导体的要求越来越苛刻,为了获得高质量的适合我们需要的材......