快速晶闸管相关论文
在高压晶闸管器件的硅片参数设计时,制造过程中不同扩散工艺形成PN结的平坦性是重点考虑的因素之一。为了获得更优良的高压快速晶......
中国核聚变工程实验堆(China Fusion Engineering Test Reactor，CFETR)是我国下一代超导聚变实验项目，开关网络单元(Switch Network ......
对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne／Nb，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ga扩散技术的特点，并与闭管Ga扩散和......
利用开管扩Ｇａ系统，分段控制掺杂量，使杂质Ｇａ在硅中形成阶梯形分布，用于快速晶闸管的研制，理论分析与测试结果表明，器件阻断耐压值比原高斯函......
用12MeV电子束对普通高压晶闸管、快速晶闸管、双向晶闸管进行辐照，测试这几种器件的主要电学参数。实验发现12MeV电子辐照能明显改......
为了生产出高压大电流快速晶闸管,我们采用了先进的金扩散工艺,精确地控制载流子寿命,调整n_B层中金的剖面分布,并对晶闸管长基区......
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介绍了采用镓铝双质掺杂制造快速晶闸管的设计要点和关键工艺。根据器件的特性要求,优化设计了基区结构参数和门极-阴极图形,采用......
1.故障现象锻造车间有一台并联型水冷式中频感应加热炉,型号为KGPS-2.5/250,频率为2.5kHz,功率为250kW。由于逆变部分有两只3CTK2......
扬州晶来电子有限公司由扬州晶来半导体 (集团 )有限公司与美国开来机械设备公司于 1993年合资组成 ,总投资 4 0 0万美元 ,公司位......
航天科技集团七七一所产品简介:专用通用型集成电路芯片,专用/通用型一次、二次集成电路,抗辐射电路,特种器件;专用型抗恶劣环境......
1可靠性概述整流器原理早在20年代就已被人们所了解，但由于技术和经济上的原因，实际上并未应用于焊接电源。只有当半导体技术发展到......
本文介绍了主要电力半导体器件的性能、制造技术及应用。全文共分七部分,首先介绍国际动态,接着分别介绍了功率整流二极管、晶闸管......
一、硅器件辐照简介加速器产生的电子束、钴—60辐射装置的γ射线和核反应堆的中子或γ射线,都可以用来辐照硅器件,改善电子特性......
介绍了快速晶闸管在所研制的加速器电源系统中的应用,分析并解决了快速晶闸管的触发驱动、过压过流保护等问题。
The application......
采用3.7MeV-5.9MeV质子辐照对500A、1600V快速晶闸管实现了局部少子寿命的控制.对质子辐照在器件中的缺陷浓度进行了TRIM模拟.对通......
该文通过对晶闸管关断物理过程的分析得到，n基区深中心的最佳剖面分布应是：Nt(j2)＜Vt(j1)。经过一系列试验，根据深能级瞬态谱仪（DLTS）和......
该文从晶库管通态压降产生的方面入手，在分析通态压降产生机理的基础上，从协调开关时间与通态压降关系上提出双束质子辐照晶闸管。通......
该文研究了硅片中三种不同的金分布，并把这三种不同的金分布用于快速晶闸管，发现不同的金分布对管子的关断时间和通态压降等参数的协......
提出了一种基于高速斥力开关和双向晶闸管开关的新型混合型限流断路器方案,在研制出3 kA/320 V限流断路器样机基础上,对其在高短路......
采用开管式Al乳胶源涂布与气相Ga相结合的技术,实现了镓铝双质在n型Si中的均匀掺杂,得到了p型半导体.研究了镓铝双质掺杂的方法及......
使用硼铝二氧化硅乳胶源制出500A，1600V快速晶闸管，其主要参数di/dt≥300A／us，du/dt≥500V/us，本文介绍了该器件的结构特点，理论设计及关......
研制出直径50mm,2000V快速非对称晶闸管，其正向重复峰值电压达2000V，通态峰值压降不大于2．5V，通态平均电流为600A＜关断时间小于30us，且具......
利用开管扩散方式，使Ga在Si中的浓度分布服从高斯函数形式，用于快速晶闸管的制造。由理论与实践得出：P1，P2区Ga的缓变分布及其与N1区低......
针对目前铁路电务系统中大量使用的UPS维护方法不当，容易造成故障等问题，设计了一种集电压电流采集、温度采集、液晶显示、通信、实......
高压快速晶闸管的Ｐ型双质掺杂新技术研究成功，经工艺论证和试用，该项成果具有可行性、先进性和实用性，为研究和制造快速晶闸管开辟了一......
电力电子器件的创新带来新的电力牵引传动的飞跃和进步;而电力牵引传动对电力电子器件提出更加完善、高性能的要求,促进了器件向更......
襄樊仪表元件厂座落于秀丽的古城襄阳南部观山北麓,三面群山环抱,厂区苍松翠柏,绿荫覆盖,是半导体元器件生产的理想境地。始建于19......
介绍了快速晶闸管在所研制的加速器电源系统中的应用，分析并解决了快速晶闸管的触发驱动、过压过流保护等问题。......
分析了影响快速晶闸管tq-U_TM折衷关系的主要因素，简要叙述改善这一关系的有效方法和措施，举例说明相关的设计考虑．实验结果验证了这......
株洲电力机车研究所电力电子事业部(原半导体厂)成立于1964年，坐落在美丽的湘江之滨，富庶的工业重镇一一湖南株洲。主要从事大功率半......
对提高快速晶闸管发射区ｎｃ与基区Ｐｂ杂质浓度比值Ｎｃ／Ｎｂ，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ｇａ扩散技术的特点，并与闭管Ｇａ扩散和Ｂ－Ａ１双质Ｐ型扩散方......
介绍高能８ＭｅＶ电子辐照技术在大功率快速晶闸管制造工艺中的成功应用。...
变换器型稳压电源分为脉冲宽度调制（PWM）型和脉冲频率调制（PFM）型两种，前者在我国已有较多应用，后者应用尚少。笔者曾参与研制成功一种利......
本论文研制完成了一台为某强流电子束加速器配套使用的高功率重复频率脉冲电源。它主要由四部分组成：三相整流直流电源，谐振充电及电......
在中频电源领域,由于晶闸管的开关频率高,在关断过程中,产生很大的反向di/dt,严重威胁器件的安全.由于国外生产的快速晶闸管性能高......
最近,据某新闻媒体在某地进行的调查结果显示,100人中只有1人愿当工人。对于用人单位来说,可谓是"百里挑一"。如今,"工人"这一曾经......
分析了借助镓高斯函数浓度分布改善快速晶闸管ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量的机理，并给出实验结果。......
在铁路电务系统中，当外部电力供应出现故障时，UPS(Uninterruptible Power Supply,不间断电源)主要为计算机、电源屏、计算机联锁系统......
