抛光垫相关论文
化学机械抛光（CMP）作为一种超精密加工技术，在集成电路制造、计算机硬盘、微机电系统、光学元件加工等领域得到了广泛的应用。抛光垫......
作为目前唯一能够实现全局平坦度的加工工艺,化学机械抛光（CMP）常被作为衬底加工的最后一道工序。然而在加工过程中,随着抛光垫的表......
作为第三代半导体材料,SiC具有高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高饱和电子迁移率和低相对介电常数等特点,被广泛应用于5G通讯......
随着电子技术、通信工程和微电子技术等行业的快速进展,对关键零部件的半导体器件不仅要求高平整度、超光滑、亚纳米级的表面粗糙......
硬质合金以其优良的硬度、韧性和耐磨性等特性,常作为切削刀具材料应用于汽车、航空、航天等领域。采用化学机械抛光（Chemical Mech......
目的 研究单层磨料凝胶抛光垫的加工性能,为提高磨料利用率以及降低磨料对凝胶基体的破坏提供解决思路.方法 使用自行搭建的测力装......
分析了非掺锑化镓单晶片的化学抛光机制和影响获得表面质量良好的非掺锑化镓单晶片的因素，得到了非掺锑化镓的抛光工艺参数。利用该......
研究的是ULSI镶嵌钨CMP的选择性 ,化学与机械作用匹配 ,浆料的悬浮及存放和后清洗等问题。
The study is about the ULSI mosaic ......
提出了一个机械化学抛光中晶圆材料非均匀性的有限元模型.通过分析压力、摩擦力、抛光垫和承载膜的可压缩性对晶圆的应力分布的影......
IC器件尺寸的纳米化,要求高的光刻曝光分辨率,在采用短波长和大数值孔径曝光系统提高分辨率的同时导致了焦深变浅,进而对晶片表面......
随着半导体行业的飞速发展,集成电路特征尺寸的微细化,半导体薄膜表面的高平坦化对器件高性能、低成本、高成品率有着重要的影响。......
不同于传统的CMP,ECMP的去除速率与下压力无关。由于利用了二价铜离子与铜界面之间的弱键合,ECMP能够用电解抑制剂来进行更有效的......
金刚石工具已被广泛地用于光学零件的粗磨、精磨和滚圆等加工工艺中。近十几年来,对使用金刚石工具抛光光学零件的研究也取得了一......
根据化学机械抛光(CMP)过程中硅片表面材料的磨损行为,建立了硅片CMP时的材料去除率模型,设计了不同成分的抛光液并进行了材料去除......
采取不同基体性能的固结磨料抛光垫(FAP),在相同的化学机械抛光(CMP)参数下,研究了溶胀率和铅笔硬度等基体性能对K9光学玻璃加工时......
利用扫描电子显微镜和接触式表面形貌仪分析了IC1000/Suba-IV和IC1010两种商用抛光垫的主要特性,并通过自行研制的超低压力化学机......
研究了铜化学机械抛光(CMP)过程中,不同压力和非离子型表面活性剂对片内非均匀性(WIWNU)的影响。通过改变抛光压力大小和非离子型......
修正特性是亲水性FAP的突出特点,其自修正过程的定量表述是指导亲水性FAP参数设计和加工工艺参数制订的基础.本项目主要开展了五个......
ＧａＡｓ材料抛光机理的研究陈坚邦王云春董国荃（北京有色金属研究总院北京１０００８８）关键词：原子氧ＧａＡｓ抛光机理氧化物１引言ＧａＡｓ材料硬度低、脆性大、缺陷多、......
研究了抛光液中H2O2和水杨酸浓度对钌的抛光速率的影响。采用电化学方法和X射线光电子能谱分析了H2O2和水杨酸对金属钌腐蚀效果的......
LBO晶体是非常重要的非线性光学晶体,而其精密抛光加工技术是其大尺寸应用的关键.固结磨料抛光技术把抛光粉固结在抛光垫中,采用不......
建立300mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程，通过实验证明了运动轨迹路径长度与抛光去除厚度......
传统计算机控制小磨头抛光技术因具有较高的去除效率以及较好的面形控制能力，广泛应用于光学元件加工的抛光阶段，但是抛光垫易磨损和......
目前化学机械抛光广泛应用于衬底晶片和多层布线的层间平坦化加工中。抛光垫是化学机械抛光(CMP)系统的重要组成部分,具有贮存抛光......
随着计算机硬盘技术的发展，对硬盘基板的加工提出了更高的要求：不仅需要其具有纳米级的面型精度和亚纳米级的表面粗糙度的超光滑表面......
在对电机电流终点检测、光学终点检测以及抛光垫温度检测三种终点检测技术的检测原理、特点及其装置分析讨论的基础上,对终点检测......
化学机械抛光是晶片全局平坦化的关键技术,其中终点检测系统是影响抛光效果的关键。如果不能有效地检测抛光过程,便无法避免硅片产......
化学机械抛光技术已经在超大规模集成电路制造中得到广泛应用，主要用于加工超光滑无损伤的硅单晶衬底和对晶片进行局部和全局平坦化......
3M另一大类地板清洁垫是抛光垫,严格来讲应该称为超高速抛光垫.它们都是配合超高速抛光机(＞1500r/min)使用,进行蜡面抛光,恢复蜡面......
研究抛光垫表面特性有利于了解和分析硅片化学机械抛光（CMP）材料的去除机理及优化抛光垫的微观结构。使用ZYGO 5022轮廓仪、SEM等仪......
介绍了化学机械抛光的基本工作原理和目前发展情况。当前集成电路技术已进入０．１８μｍ时代，对集成度日益高的电路芯片，金属互联线的层数不断......
【正】昆明凯捷科技有限公司为美国3M商用清洁、美国ECOLAB(艺康化工)在云南省的总代理商。公司倡导正确的清洁观念,注重所用产品......
化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing,CMP）是当今唯一能够提供全局平面化的技术,其抛光机理的研究是当前的热点。综述了考虑......
长年不断地为全球OEM及原厂修补藻市场研发尖端产品PPG的涂料权威地位已经无庸置疑—PPG拥有最好的规划最好的技术应用最好的修补......
化学机械抛光（chemical mechanical polishing／planarization，CMP）能够提供高级别的整体平面度和局部平面度而成为集成电路（integrated ......
地板抛光机 FP 303凯驰地板抛光机FP303能提供系统的硬质地面维护和护理保养方案：抛光机，抛光垫和各种地面护理剂，为各种地面提供不同......
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具体分析了铜的碟形缺陷并非由于抛光垫的弯曲造成，但是与抛光垫的表面形态有关，在此基础上，分析了铜CMP的作用机制，初步定性指出造成......
依据化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，CMP）加工玻璃光学元件的原理，通过对抛光运动机理的理论分析，提出了抛光垫的磨削均匀......
目的探究SiO2磨料固含量、抛光垫和下压力等工艺参数对氧化锆陶瓷化学机械抛光速率的影响和作用机理。方法采用粒径为80 nm的钠型......
在化学机械抛光过程中，抛光垫表面沟槽形状是决定抛光垫性能的重要影响因素之一，它会直接影响抛光效果。在分析几种常规抛光垫表面沟......
在分析衬底基片加工工艺和衬底基片加工试验的基础上，得出导致衬底基片表面变形的因素有：支承盘精度、粘片的方法、衬底基片的表层应......
