掺铒硅相关论文
采用PECVD法生长的无定型硅和直拉晶体硅为衬底注入Er3+ 离子的掺铒硅 ,经快速退火后在 15K至 2 93K下均可获得波长为 1 54μm的......
该文研究了利用分子束外延方法生长的掺Er硅中Er的偏析过程,Er掺入晶体Si和SiO中的光致发光谱,并利用第一原理方法计算了Si掺Er(O)......
利用分子束外延系统（MBE）生长高浓度的掺铒硅样品,用电学方法对样品的缺陷态进行研究,结果表明铒氧共同掺入硅中引入施主缺陷.如果在......
硅在微电子学领域有着极其广泛的应用,但它是一种间接能隙丰导体,发光器件领城是它的缺项.利用在硅中掺入铒发光中心.研制出一种新......
铒离子在硅中呈现弱施主特性 ,O、Er双掺杂可提高施主浓度两个数量级 .氧杂质与铒离子形成复合体 ,其施主能级可能是铒离子发光能......
利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO2/Si薄膜中获得Er掺杂硅基发光薄膜.掺杂到热氧化SiO2/Si......
采用金属蒸气真空弧（MEVVA）离子注入机，合成获得高浓度掺铒硅发光薄膜，并对其进行成分和结构分析。在小束流2．5gA·cm^-2、小注量5&......
利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜.RBS分析表明掺铒硅的浓度接近10......
硅在微电子学领域有着极其广泛的应用，但它是一种间接能隙半导体，发光器件领域是它的缺项。利用在硅中掺入铒发光中心，研制出一种新的......
利用金属蒸气真空弧（MEVVA）离子源将Si和Er离子双注入到不同厚度热氧化SiO2/Si薄膜中获得Er掺杂硅基发光薄膜。掺杂到热氧化SiO2/Si......
用金属蒸气真空弧离子源（MEVVA）制备高浓度掺铒硅发光薄膜，研究高浓度Er掺杂发光薄膜中Er的偏析与沉淀现象对1.54μm光发射的影响。RR......
Er<sup>3+</sup>离子内部能发射4f辐射,其波长为1.54μm,这是一个标准电讯波长,因而在薄膜集成光电子技术中采用含Er<sup>3+</sup>......
自1983年H.Ennen等报道掺铒硅(Er∶Si)的低温发光以来,人们对掺铒硅和硅化物的光致发光和电致发光性质产生了极大的兴趣,并进行了......
硅基发光材料及器件是实现光电子集成的关键,文章介绍了目前取得较大进展的包括多孔硅、掺铒硅、钠来硅等几种主要硅基材料的发光......
最近10年来,硅中掺铒被认为是制作高效光源的一种最有前景的方法。铒离子具有4f内壳层电子跃迁,发射光的波长为1.54μm,这是一个标......
