插入层相关论文
为了研究用MOCVD在蓝宝石衬底上制备的AlGaN/GaN异质结的性能,分别在成核温度为580℃和600℃的非故意掺杂GaN模板上制备了Al0.30Ga......
本文设计了一种具有双AlN插入层的AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaNHEMT结构材料,用以提高沟道对二维电子气的限制作用、改善材料的电学性......
GaN的缓冲层漏电问题严重影响AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)的高频性能和夹断特性.引入高阻GaN做缓冲层可以有效解决漏......
本文分析了有ZnTe/ZnTe:Cu插入层的CdTe太阳电池在能带结构上的变化.通过对比有无插入层的CdTe太阳电池在C-V特性,I-V特性,光谱响......
本文采用AlN插入层改善材料结构,研究了AlN插入层对AlGaN/GaNHEMTs电流崩塌效应的影响.直流应力条件下,AlGaN/GaNHEMTs的输出电流......
采用MOCVD设备在Si(111)衬底上分别生长了三个不同结构的样品:样品a直接生长1μm厚的GaN;样品b在1.2μm厚GaN中插入一AlN薄层;样品......
利用MOCVD技术在蓝宝石衬底上外延生长了具有低温插入层结构的绿光LED,研究了具有插入层结构的LED的发光特性。插入层的引入增加了......
氢化物气相外延法(HVPE)是最有前景的制备自支撑氮化镓(GaN)的方法,具有生长速度快,成本低,生长的GaN质量好等优点。目前,HVPE......
通过研究具有不同缓冲层(950℃)厚度的AlN外延晶片和具有低温插入层(1100℃)的AlN外延晶片,结果表明缓冲层厚度和低温插入层对高温......
利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层......
本文首先利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法，在GaN/sapphire模板上生长具有不同厚度低温AlN插入层的AlxGa1-xN外延层。然后采......
采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)技术制备InN薄膜。为了缓解晶格失配所带来的应力及非故意生成的多晶层影响，在衬底和低温I......
在本文中，主要探讨在结构材料中引入AlGaN：In插入层对多量子阱发光的影响。采用适当厚度的AlGaN： In插入层可提升表面与界面的平......
AIN插入层已被广泛用来提高Al0.25Ga0.75N/GaN/AIN体系中的二维电子气的迁移率和浓度，然而很少有人关注AIN插入层对该异质结构上肖......
利用MOCVD研究了无裂纹Si基AlGaN/GaN HEMT结构的外延生长工艺。在Si(111)衬底上生长高温AlN缓冲层,然后直接生长GaN沟道层,AlN插......
缓冲层阶段由于晶界的存在,特别是晶界密度高时,生长过程中引入的张应力会限制CaN层的生长厚度,AlN种子层后原位生长SiN作为掩摸层......
我们通过AlN插入层技术,成功生长出了高Al组份的AlGaN材科.研究并优化了AlGaN材料上的欧姆接触形成条件,而且还优化了Ni/Au肖特基......
从理论上分析了CdS/CdTe/Au 器件的Roll over 和Cross over 现象。通过对比有无插入层的CdTe 太阳电池在C-V特性， I-V特性，光谱响应......
Ⅲ族氮化物半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿电压高、电子漂移速度大、热导率高、热稳定性和化学稳定性好等优点，其在光电器件、......
碳纤维复合材料风扇叶片榫头段是铺层数量最多、递减铺层最集中的部位,榫头的铺层质量影响叶片的低周疲劳强度.为完成叶片榫头段的......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
为了对士兵提供更高级别的防护,英国国防部正在荷兰DSM Dyneema公司生产的轻强轻质DSM Dyneema单向片材(UD)用于新层Osprey身体防......
采用直流反应磁控溅射技术，在AISI304不锈钢基体上镀制了三种具有不同插入层结构的CrNx涂层．用X射线晶体衍射仪（XRD）表征了涂层的晶体......
为了对士兵提供更高级别的防护，英国国防部正在将荷兰DSMDyneema公司生产的超强轻质Dyneema单向片材（UD）用于新型Osprey身体防护服的......
设计了一种具有双Al N插入层的Al GaN/Al Na/GaN/Al Nb/GaN HEMT结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采......
利用wxAMPS软件对吸收层In组分为0.2的非极性InGaN基P-I-N结构双异质结太阳能电池进行仿真,分别研究了在P-I结和I-N结处插入In0.1G......
在低温条件下利用Al诱导结晶在绝缘衬底上生长高晶体质量的多晶Ge薄膜.使用厚度为1~10 nm的Ge插入层可以改善多晶Ge薄膜的生长条件......
在金电极和p-型并五苯有源层之间插入n-型有机半导体层显著提高了并五苯薄膜场效应晶体管的性能。在插入2nm厚的N,N-bis（2,2,3,3,4,......
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为了获得高质量的GaN薄膜材料,研究了金属有机物气相沉积系统中GaN插入层对GaN衬底同质外延层表面宏观缺陷和晶体质量的影响.研究......
insert 层结构器官的 electroluminescent 设备(OLED ) 基于新光材料(Zn (salen )) 被制作。设备的配置是 ITO/CuPc/NPD/Zn (salen......
分析了有ZnTe／ZnTe：Cu插入层的CdTe太阳电池在能带结构上的变化，通过对比有无插入层的CdTe太阳电池在C-V特性、I-V特性、光谱响应上的......
研究了MOCVD系统中原位SiN插入层对GaN薄膜应力和光学性质的影响。采用SiN插入层后,GaN薄膜的裂纹数量大大减少,薄膜所承受的张应......
Mixed Al-Si and Al-Cu powders were investigated as insert layers to reactive diffusion bond SiCp/6063 metal matrix compo......
Reactive diffusion bonding of SiCp/Al composites by insert layers of mixed Al-Si and Al-Si-SiC powde
Mixed Al-Si and Al-Si-SiC powders were employed as insert layers to reactive diffusion bond SiCp/6063 MMC (metal matrix ......
近年来，GaN基半导体材料和器件取得了很大的进展，但是由于缺乏合适的衬底，限制了器件性能的进一步提高。氢化物气相外延（HVPE）技术由于......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
有机太阳能电池以其价廉、质轻、柔性以及可制备大面积电池器件而获得了越来越多的关注和研究,取得了较大的发展。但相较于无机硅......
ZnO是一种常见的直接带隙宽禁带半导体材料,是第三代半导体材料中的研究热点。其在室温下具有较大的激子束缚能（60 me V）,禁带宽度为......
近年来,N面GaN材料由于在高频和光电器件、氢气探测器、以及太阳能电池等领域具有特殊优势而受到关注,但是高质量N面GaN外延薄膜制......
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垂直腔面发射激光器(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser,简称VCSEL)相对于面世更早的边发射激光器而言,有相当多独特并且实......
