晶向偏离相关论文
提出了旋转定向测试法,其原理是使试样在粉末Ｘ射线衍射仪上进行θ扫描的同时绕其端面法线自转,增加了晶面法线通过衍射平面的机会．通......
减小硅片切割的加工应力,是半导体器件生产中的一重要环节。本文在定向切片,硅单晶压紧力影响,切割刀片选择和安装,以及晶棒的粘结......
用冷轧和再结晶退火技术制备了YBCO超导厚膜用的立方织构Ni基带。并且，对所制备的立方织构Ni基带进行了X射线衍射研究。提出并讨论......
美国弗吉尼亚半导体公司决定把两台直拉炉用于生产〈110〉硅单晶,这种材料的晶向偏离〈110〉6°以内。因为{110}结晶面具有各向异......
卤素灯已用于使SiO_2上淀积的多晶硅再结晶。已获得单晶。在再结晶膜中出现100～200微米宽的二次晶粒。我们提出采用透射电子显微镜......
为了控制区熔硅单晶的晶向偏离度,目前采用的主要手段是控制籽晶的晶向偏离度,即将激光定向后的单晶切割成一定尺寸的籽晶,经处理......
用光致发光谱及高分辨率的X射线双晶衍射对 MBE GaAs/Si异质结材料进行研究,发现GaAs外延层和Si衬底存在一定的晶向偏离,整个GaAs......
本文用改进了试样台的民德TUR-M62型X-射线衍射仪对高磁感单取向硅钢的大晶粒进行位向测定,综合一定数量的晶粒位向绘制成正极图。......
运用邻位面台阶化概念,推导出直拉<111>无位错硅单晶横截面周界方程。阐述了无位错硅单晶的“鼓苞”机理,理论值与实验符合良好。......
