横向外延过生长相关论文
GaN是实现白光LED的关键材料。GaN外延膜通常沿极性c轴生长, 基于极性GaN的LED有源层量子阱中由于强内建电场的存在而导致器件发光......
随着氮化镓（Ga N）基发光二极管（LED）应用越发广泛,对器件性能的要求也越来越高,需要我们制备出高质量的Ga N外延薄膜以提升LED器件的光......
介绍了液相外延技术制备了Ｓｉ／ＳｉＯ２ＳＯＩ结构的方法，系统和几个重要环节及当前发展状况，同时指出液相外延技术对制备极低缺陷密度ＳＯＩ结构具有广阔前景......
介绍了金属有机化学气相沉积（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）法横向外延过生长GaN薄膜的原理，阐述了该技术形成选择......
对用LEO技术生长GaN材料的选择生长和横向生长速率进行了实验研究。结果表明，作为LEO生长基板的GaN层的表面质量是实现选择生长的关......
近几年,图形化蓝宝石衬底因其作为GaN基发光二极管外延衬底,不仅能降低GaN外延薄膜的线位错密度,还能提高LED的光提取效率而引起国......
