死层相关论文
关联性氧化物丰富界面效应和体效应使得他们被认为是替代硅的下一代半导体器件的新材料。由于多种自由度的相互作用,许多新奇的现......
利用MonteCarlo方法 ,研究了薄膜电致发光器件中电子输运的瞬态过程 ,得出了电子平均动能、平均漂移速度及能谷转移过程随时间的变......
5.照射方式和机体的损伤程度用激光照射机体以切开或切除时,在切开或穿孔部位的边缘会生成炭化层、坏死层等质变层。质变层较薄,......
人牙的龋蚀牙本质由两层构成:第一层——表层(死层)、第二层——深层(生活层)。该两层可由0.5%碱性品红的丙烯甘醇液明确分染。以......
病人,王某,女,55岁,病历号210530,于1989年7月16日因左下后牙痛自用陈旧放置一年由外院配制的0.02%醋酸洗必太漱口液偏左侧患牙方......
本文以不同能量参数的脉冲Ｎｄ：ＹＡＧ激光照射切除新西兰兔牙龈组织，以手术刀切除作对照，于术后２，７，１４，２１天取材，观察牙龈伤口愈合过程的组织病理学变化。......
本文报道了日本一例人体腹腔中的犬恶丝虫。病人是74岁的男性,死于肝癌。尸检时,发现一瘤样肿块包裹在肠系膜脂肪组织中,肿块表面......
由磁性层和非磁性层组成的多层膜,通过改变非磁性层材料的类型及多层膜的结构,可以得到各种不同性质的新材料.ZnSe属于Ⅱ—Ⅴ族半......
系统研究了由非晶态Ｆｅ－Ｓｉ合金与Ｓｉ，Ｃｕ，Ｐｄ和Ｃｒ四种不同类型的材料组合而成的磁性多层膜的二维磁性，界面的死层效应和极化效应，层间耦合作用。在Ｆｅ－Ｓｉ／Ｃｒ多层膜......
“菌毒清”防治树脂病效果好１９９４年在我镇下痕村桔园，采用菌毒清（山东绿野化学有限公司生产）进行树脂病防治试验，取得了良好效果。试验为２８年......
小儿误咽腐蚀剂的治疗仍是一个有争论和困难的问题。本文报道了美国哥伦布儿童医院70年代10年中对402例患儿的治疗经验。病理改变......
文章中,通过磁控溅射制备了界面处插入4d,5d元素薄层(包括Ru,Pd,Ag和Au)的Ta/NiFe/Ta多层膜,并对它们的磁输运和磁性以及微结构进......
一、引言把掺稀土氟化物的 ZnS 薄膜(ZnS:ReF_3)作为薄膜电致发光(TFEL)器件有源层的想法是由 Kahng 提出的。以 ZnS:ReF_3为基质......
利用北京同步辐射装置(BSRF) 3W1B束线及反射率计靶室,在束流强度40～120mA、贮存环电子能量2GeV专用光运行模式下,做了不同材料掠入......
平面工艺制备半导体探测器始子六十年代,但因工艺复杂,需要的设备多,探测器的性能也不很突出,因此进展缓慢,各领域使用的硅探测器......
HPGe γ谱仪的探测效率可用两种方法确定:一种是实验测定,另一种是理论计算。实验方法仍是目前国内外最常用且较准确的方法,但需......
利用2.5MeV质子静电加速器调制成微秒宽度的单次脉冲束流,照射国产离子注入PIN及Au-Si面垒型探测器表面后,观察从示波器屏幕上同时......
本文主要叙述超纯P型硅探测器的制备和性能。应用浙江大学研制的超纯硅单晶制成50mm~2×1.5mm的Si(Hp)探测器,在室温10℃,对~(270)......
为提供简单的绝对测量电子俘获核素放射源的X射线发射率或活度,本文提供了利用特制的源架、国产晶体及FH-1901谱仪组成的标准方法......
利用~(242)Cm,~(241)Am,~(239)Pu,~(210)Po α放射源测量了α粒子在金硅面垒型半导体探测器中产生一对电子-空穴所消耗的平均能量,......
本文介绍金硅面垒探测器的制作工艺及性能。灵敏面积直径为6mm、8mm和13mm的探测器在20℃左右对α粒子的能量分辨率(FWHM)分别为11......
半导体探测器由于具有对核粒子能量分辨率高等优点,自问世以来引起人们的极大重视。目前,大多数使用者对它最感兴趣的也就是其分......
本文报道了一种制备面垒探测器的新工艺——等离子氧化工艺。初步的实验结果表明,探测器制作周期短、性能稳定、制作重复率高。灵......
平面工艺制造半导体探测器,始于六十年代初期,但由于需要的设备多,工艺比较复杂,而探测器的电性能又不十分突出,致使该工艺很少被......
本文介绍N型高纯锗同轴探测器的特点、制备方法及其性能。我们研制成的N型同轴探测器的体积为88cm~3,相对效率约为19％,它对_(60)Co ......
本文阐述X射线能谱测量用的半导体探测器,对硅与锗X射线探测器进行了比较。扼要介绍了X荧光分析用的探测器的制备方法和性能,分析......
半导体探测器是六十年代发展起来的一种新型探测器.随着硅、锗单晶性能的提高,硅(锂)[Si(Li )]、锗(锂)[Ge(Li)]及高纯锗[HPGe]探......
本文介绍了厚度为５．２～６．０、１０～１３、１９μｍ，有效面积为２８～１５４ｍｍ￣２的外延硅ｄＦ／ｄＸ探测器的研制工艺，主要用途、测试结果（对９．８７Ｍｅｖα粒子的能损ＡＥ的分辨为５６～１２８ｋｅｖ）和在核物理实验中的应用。......
本文介绍了一种ＨＰＧｅγ谱仪点源到体源效率的相对比较传递方法。采用一种简单参数的蒙特卡罗方法计算峰效率，实验测量点源的效率曲线，并与......
介绍了３０ＭｅＶ／ｕ(４０)Ａｒ＋(５８)，(６４)Ｎｉ和(１１５)Ｉｎ反应中测得的部分实验结果，着重讨论了３０μｍＳｉ＋５００μｍＳｉ＋４ｃｍＣｓＩ（Ｔ１）探测器望远镜的能量刻度，给出了一种可靠性好、可操作性强的能量刻度方法......
用伴随粒子法测量加速器聚变中子注量率。采用金硅面垒半导体探测器测量α粒子。对靶室设计、氘束束流、氚靶等提出了技术要求。......
报道了掠入射软X光平面镜反射率标定实验。实验利用北京同步辐射装置 (BSRF) 3W 1B束线及反射率计靶室 ,在束流 35mA～ 110mA、贮存......
GaAs粒子探测器既能作为高抗辐射的探测器，又能作为X射线的线性传感器。在不同照射量的X射线辐照下，探测器的灵敏度与X射线的照射量......
应用离子注入工艺可制备获得线性电流大、窗口死层薄的硅pin辐射探测器。首先简要介绍了离子注入工艺形成pn结的原理,重点根据技术......
采用超高真空电子束蒸镀方法制备了Fe/Ru多层膜,Ru层厚度固定为2 nm,Fe层厚度为0.6～5 nm,研究了Fe层厚度的变化对薄膜结构及其磁性......
利用离子束溅射方法制备了具有不同调制周期的Fe/Mo和Co/Mo金属磁性多层膜,并比较系统地研究了它们的结构和磁性。通过结构研究发......
暗物质探测是当今最重要的基础前沿课题之一,通过测量暗物质粒子与标准模型物质相互作用产生的核反冲信号,可以实现对暗物质的直接......
硅微条探测器的位置分辨率可好于σ=1.4μm,这是任何气体探测器和闪烁探测器很难作到的.主要介绍硅微条探测器的特点、结构、工作......
金硅面垒探测器是^6LiF夹心谱仪探头的关键组成部分，其参数直接影响整个夹心谱仪的性能。通过实验测定了各金硅面垒探测器在不同偏......
对P型基底均匀掺杂的情况下电子轰击有源像素传感器(EBAPS)的电荷收集效率进行了理论模拟研究,依据低能电子与固体的相互作用模型......
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